[发明专利]半导体存储器器件以及磁存储器器件有效

专利信息
申请号: 201510175175.0 申请日: 2015-04-14
公开(公告)号: CN104978991B 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 李宰圭;徐基晳 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;H01L27/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王新华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本公开提供了半导体存储器器件以及磁存储器器件。磁存储器器件可以包括配置为存储数据的多个可单独控制的磁存储器段。多个可单独控制的源极线可以每个联接到所述多个可单独控制的磁存储器段中的相应一个。
搜索关键词: 半导体 存储器 器件 以及 磁存储器
【主权项】:
1.一种半导体存储器器件,包括:第一存储器段,包括沿彼此正交的第一方向和第二方向布置的多个第一可变电阻存储器单元;第一源极线,电连接到所述多个第一可变电阻存储器单元;在所述第一方向上延伸的多条第一局域源极线以及在所述第二方向上延伸的第一源极连接线,其中所述多个第一可变电阻存储器单元连接到所述多条第一局域源极线,所述多条第一局域源极线共同地连接到所述第一源极连接线,所述第一源极连接线连接到所述第一源极线;第二存储器段,与所述第一存储器段分别地控制,所述第二存储器段包括沿所述第一方向和所述第二方向布置的多个第二可变电阻存储器单元;第二源极线,电连接到所述多个第二可变电阻存储器单元;以及在所述第一方向上延伸的多条第二局域源极线以及在所述第二方向上延伸的第二源极连接线,其中所述多个第二可变电阻存储器单元连接到所述多条第二局域源极线,所述多条第二局域源极线共同地连接到所述第二源极连接线,所述第二源极连接线连接到所述第二源极线,其中所述第一源极线和第二源极线彼此电分离。
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