[发明专利]半导体存储器器件以及磁存储器器件

说明书

本公开提供了半导体存储器器件以及磁存储器器件。磁存储器器件可以包括配置为存储数据的多个可单独控制的磁存储器段。多个可单独控制的源极线可以每个联接到所述多个可单独控制的磁存储器段中的相应一个。

技术领域

本发明构思涉及半导体存储器器件，具体地，涉及具有可变电阻存储器单元的半导体存储器器件。

背景技术

一些半导体器件包括用于存储数据的存储器器件、用于处理数据的逻辑器件以及可配置为操作存储器器件和逻辑器件的系统芯片(system-on-ship)。

随着电子产业的发展，出现了技术困难，诸如减小的工艺容限和存储器单元的增大的电阻。

发明内容

根据本发明的实施方式能够提供半导体电阻存储器器件，该半导体电阻存储器器件包括可单独控制的源极线。根据这些实施方式，磁存储器器件可以包括配置为存储数据的多个可单独控制的磁存储器段(magnetic memory segment)。多个可单独控制的源极线可以每个联接到多个可单独控制的磁存储器段中的相应一个。

在一些实施方式中，磁存储器器件还可以包括多个可单独控制的源极线驱动器电路，每个可单独控制的源极线驱动器电路联接到多个可单独控制的源极线中的相应一个。在一些实施方式中，多个可单独控制的源极线驱动器电路的每个联接到多个可单独控制的修复使能信号(repair enable signal)中的相应一个。

在一些实施方式中，磁存储器器件还可以包括配置为使能(enable)或禁止(disable)彼此分离的多个可单独控制的修复使能信号的每个的修复电路。在一些实施方式中，多个可单独控制的源极线驱动器电路的每个配置为响应于多个可单独控制的修复使能信号中被禁止的相应一个而驱动第一源极线电压信号到多个可单独控制的源极线中的相应一个。多个可单独控制的源极线驱动器电路的每个配置为响应于多个可单独控制的修复使能信号中被使能的相应一个而驱动第二源极线电压信号到多个可单独控制的源极线中的相应一个。

在一些实施方式中，磁存储器器件还可以包括在多个可单独控制的磁存储器段的每个中的相应的多个字线，相应的多个磁存储器单元可以在多个可单独控制的磁存储器段的每个中，其中相应的多个字线联接到相应的多个磁存储器单元。

在一些实施方式中，用于字线的字线使能电压电平(word line enable voltagelevel)大约等于用于可单独控制的修复使能信号被使能的修复使能电压电平(repairenable voltage level)。在一些实施方式中，磁存储器器件还可以包括可单独控制的冗余磁存储器段，该可单独控制的冗余磁存储器段配置为存储被寻址到多个可单独控制的磁存储器段中故障的一个的数据。可单独控制的冗余源极线可以联接到可单独控制的冗余磁存储器段。

在一些实施方式中，磁存储器器件还可以包括联接到可单独控制的冗余源极线的可单独控制的冗余源极线驱动器电路。在一些实施方式中，可单独控制的冗余源极线驱动器电路配置为响应于可单独控制的冗余源极线驱动器电路被修复使能信号的第一状态使能而驱动第一源极线电压到可单独控制的冗余源极线。可单独控制的冗余源极线驱动器电路可以配置为响应于可单独控制的冗余源极线驱动器电路被修复使能信号的第二状态禁止而驱动第二源极线电压到可单独控制的冗余源极线。

附图说明

从以下结合附图的简要描述，实施方式将被更清楚地理解。附图表示如这里描述的非限制性的示例实施方式。

图1是示意地示出根据本发明构思的一些实施方式的半导体存储器器件的方框图。

图2是示出根据本发明构思的一些实施方式的半导体存储器器件的一部分的方框图。

图3是示出根据本发明构思的一些实施方式的半导体存储器器件的一部分的示意电路图。