[发明专利]固态成像器件和电子装置有效
| 申请号： | 201510174067.1 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104795417B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 城户英男;山本敦彦;山田明大 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 周少杰,张贵东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种固态成像器件和电子装置。所述固态成像器件包括第一像素，包括第一多个光电转换部分；由所述第一多个光电转换部分共享的第一晶体管部分，所述第一晶体管部分包括第一重置晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；以及第二像素，包括第二多个光电转换部分；由所述第二多个光电转换部分共享的第二晶体管部分，所述第二晶体管部分包括第二重置晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中，所述第一选择晶体管、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管布置在第一行中，并且所述第一重置晶体管和所述第二重置晶体管布置在第二行中。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种固态成像器件，包括：第一像素，包括：第一多个光电转换部分；由所述第一多个光电转换部分共享的第一晶体管部分，所述第一晶体管部分包括第一重置晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；以及第二像素，包括：第二多个光电转换部分；由所述第二多个光电转换部分共享的第二晶体管部分，所述第二晶体管部分包括第二重置晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中，所述第一选择晶体管、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管布置在第一行中，并且所述第一重置晶体管和所述第二重置晶体管布置在第二行中，以及其中所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管是彼此相邻的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
