[发明专利]固态成像器件和电子装置有效
| 申请号: | 201510174067.1 | 申请日: | 2011-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN104795417B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
| 发明(设计)人: | 城户英男;山本敦彦;山田明大 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 周少杰,张贵东 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 器件 电子 装置 | ||
1.一种固态成像器件,包括:
第一像素,包括:
第一多个光电转换部分;
由所述第一多个光电转换部分共享的第一晶体管部分,所述第一晶体管部分包括第一重置晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管;以及
第二像素,包括:
第二多个光电转换部分;
由所述第二多个光电转换部分共享的第二晶体管部分,所述第二晶体管部分包括第二重置晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管,
其中,所述第一选择晶体管、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管布置在第一行中,并且所述第一重置晶体管和所述第二重置晶体管布置在第二行中,以及
其中所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管是彼此相邻的。
2.如权利要求1所述的固态成像器件,其中所述第一多个光电转换部分包括第一光电二极管和第二光电二极管,并且所述第二多个光电转换部分包括第三光电二极管和第四光电二极管。
3.如权利要求2所述的固态成像器件,其中所述第一光电二极管和所述第三光电二极管布置在第三行中,并且所述第三行布置在所述第一行和所述第二行之间。
4.如权利要求2所述的固态成像器件,其中所述第二光电二极管和所述第四光电二极管布置在第四行中,并且所述第四行布置在所述第一行和所述第二行之间。
5.如权利要求2所述的固态成像器件,其中所述第一光电二极管和所述第三光电二极管布置在第三行中,并且所述第三行布置在所述第一行和所述第二行之间,以及
所述第二光电二极管和所述第四光电二极管布置在第四行中,并且所述第四行布置在所述第一行和所述第二行之间。
6.如权利要求1所述的固态成像器件,其中所述第一选择晶体管包括在第一信号连接点连接到第一垂直信号线的第一选择源极区域,所述第二选择晶体管包括在第二信号连接点连接到第二垂直信号线的第二选择源极区域,以及所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管布置在所述第一行中在所述第一信号连接点和所述第二信号连接点之间。
7.如权利要求1所述的固态成像器件,其中所述第一放大晶体管包括在第一电源连接点连接到电源的第一放大漏极区域,所述第二放大晶体管包括在所述第一电源连接点连接到电源的第二放大漏极区域,以及所述第一电源连接点布置在所述第一行中在所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管之间。
8.如权利要求1所述的固态成像器件,还包括垂直驱动电路,配置为包括移位寄存器,选择像素驱动线,提供用于驱动像素的脉冲信号到选择的像素驱动线,并且以行为单位驱动像素。
9.如权利要求8所述的固态成像器件,还包括列信号处理电路,配置为执行用于消除像素的内在固定图形噪声的信号处理。
10.如权利要求9所述的固态成像器件,还包括水平驱动电路,配置为包括移位寄存器,顺序地输出水平扫描脉冲以便顺序地选择列信号处理电路,并且将来自列信号处理电路的像素信号输出到水平信号线。
11.如权利要求10所述的固态成像器件,还包括控制电路,配置为根据垂直同步信号、水平同步信号和主时钟,生成用作垂直驱动电路、列信号处理电路、水平驱动电路的操作的基准信号的时钟信号或控制信号。
12.如权利要求11所述的固态成像器件,还包括输出电路,配置为关于通过水平信号线从列信号处理电路顺序提供的信号执行信号处理,并且输出处理的信号。
13.如权利要求12所述的固态成像器件,其中,所述信号处理包括缓冲、黑电平调节、列偏差校正、多种数字信号处理的至少一种。
14.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述固态成像器件是前部照明型COMS固态成像器件。
15.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述固态成像器件是后部照明型COMS固态成像器件。
16.一种电子装置,包括:
固态成像器件;
光学系统,配置为将入射光引导到所述固态成像器件的光电转换部分;以及
信号处理电路,配置为处理所述固态成像器件的输出信号,
其中所述固态成像器件包括根据权利要求1到15的任一所述的固态成像器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





