[发明专利]用于将金属层沉积到半导体部件上的方法和设备

摘要

用于将接触金属层电沉积到多个半导体部件的接触区域上的方法及相关设备，其中半导体部件存在于晶片组合件内且以矩阵状方式布置，该方法包括以下步骤：a)提供具有半导体部件的晶片，半导体部件具有至少一个PN结；b)相对于晶片的第一表面、从而相对于半导体部件的第一表面布置非导电的均匀化装置，及在晶片的第二表面处布置电接触装置；c)将晶片连同所布置的接触装置引入到具有电极的电镀浴内，其中电极的表面至少部分包括第一接触金属，且半导体部件的第一表面与电镀浴接触；d)将电压施加到电极和接触装置上，结果是电流通过电镀浴在电极、半导体部件和接触装置之间流动，从而接触金属均匀沉积在半导体部件的第一接触区域处。

主权项

1.用于将第一接触金属层(46)电沉积到多个半导体部件(20)的第一接触区域(220)上的方法，其中所述半导体部件(20)存在于晶片组合件内并且以矩阵状方式布置，所述方法包括下述步骤：/na)提供晶片(10)，即处于晶片组合件内的半导体部件(20)，其中每个半导体部件(20)具有至少一个PN结，从而相应地具有第一掺杂的体积区域和第二掺杂的体积区域(22，24)，其中第一掺杂的体积区域(22)邻接相应半导体部件(20)的第一表面(220)并在该第一表面处形成相应的第一接触区域，以及第二掺杂的体积区域(24)邻接相应半导体部件(20)的第二表面并在该第二表面处形成第二接触区域；/nb)相对于晶片(10)的第一表面(12)、从而相对于半导体部件(20)的第一表面(220)布置非导电的均匀化装置(60)，以及在晶片(10)的第二表面(14)处布置电接触装置(30)，均匀化装置(60)具有切除部，所述切除部以与半导体部件对准的方式布置，并且其中均匀化装置与晶片的第一表面直接接触；/nc)将晶片(10)连同所布置的接触装置(30)引入到具有电极(40)的电镀浴(52)内，其中所述电极的表面至少部分地包括第一接触金属(42)，并且其中所述半导体部件(20)的第一表面(220)与电镀浴(52)相接触；和/nd)将电压施加到电极(40)和接触装置(30)上，其结果是电流通过电镀浴(52)在电极(40)、半导体部件(20)和接触装置(30)之间流动，从而接触金属(42)均匀地沉积在半导体部件(20)的第一接触区域(162)处。/n