[发明专利]用于将金属层沉积到半导体部件上的方法和设备

权利要求书

1.用于将第一接触金属层(46)电沉积到多个半导体部件(20)的第一接触区域(220)上的方法，其中所述半导体部件(20)存在于晶片组合件内并且以矩阵状方式布置，所述方法包括下述步骤：

a)提供晶片(10)，即处于晶片组合件内的半导体部件(20)，其中每个半导体部件(20)具有至少一个PN结，从而相应地具有第一掺杂的体积区域和第二掺杂的体积区域(22，24)，其中第一掺杂的体积区域(22)邻接相应半导体部件(20)的第一表面(220)并在该第一表面处形成相应的第一接触区域，以及第二掺杂的体积区域(24)邻接相应半导体部件(20)的第二表面并在该第二表面处形成第二接触区域；

b)相对于晶片(10)的第一表面(12)、从而相对于半导体部件(20)的第一表面(220)布置非导电的均匀化装置(60)，以及在晶片(10)的第二表面(14)处布置电接触装置(30)，均匀化装置(60)具有切除部，所述切除部以与半导体部件对准的方式布置，并且其中均匀化装置与晶片的第一表面直接接触；

c)将晶片(10)连同所布置的接触装置(30)引入到具有电极(40)的电镀浴(52)内，其中所述电极的表面至少部分地包括第一接触金属(42)，并且其中所述半导体部件(20)的第一表面(220)与电镀浴(52)相接触；和

d)将电压施加到电极(40)和接触装置(30)上，其结果是电流通过电镀浴(52)在电极(40)、半导体部件(20)和接触装置(30)之间流动，从而接触金属(42)均匀地沉积在半导体部件(20)的第一接触区域(162)处。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一金属接触层(46)具有的厚度在1μm至200μm之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第一金属接触层(46)具有的厚度在5μm至20μm之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，第一金属接触层(46)包括至少90％的铜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，第一金属接触层(46)完全由铜构成。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，晶片(10)以液密的方式封装在接触装置(30)内，使得其第二表面(14)受到保护以防止与电镀浴(52)接触，其中接触装置(30)具有外部连接元件(34)。

7.一种用于将第一接触金属层(46)电沉积到多个半导体部件(20)的第一接触区域(220)上的设备，所述半导体部件(20)存在于晶片组合件内并且以矩阵状方式布置，所述设备包括第一均匀化装置(60，64，66)，该第一均匀化装置设计成相对于所述晶片(10)布置，直接承靠在晶片(10)上，并且在这种情况下至少覆盖将被金属化的最外侧系列的半导体部件(20)，并具有在这些被覆盖的将被金属化的半导体部件(20)的每一个上方的切除部，所述切除部以与半导体部件对准的方式布置，所述切除部具有开口区域，所述开口区域占据所分配的半导体部件(20)的第一接触区域(220)的表面面积的最多90％。

8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，切除部(640，660)开口区域的表面面积(644，664)从一系列到另一个系列以单调的方式从晶片(10)的边缘在晶片(10)中心的方向上增加。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，切除部(640，660)开口区域的表面面积(644，664)从一系列到另一个系列以严格单调的方式从晶片(10)的边缘在晶片(10)中心的方向上增加。

10.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，切除部(640，660)的开口区域以圆形方式或以对应于所分配的半导体部件(20)的基本形状的方式实现。

11.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，切除部(640，660)具有以与垂直方向成10°至45°之间的角度延伸的边缘(666)。