[发明专利]具有低功率逻辑器件的分栅式闪存单元器件的形成方法

摘要

本发明提供了一种嵌入式闪存器件。栅叠件包括布置在浮栅上方的控制栅极。擦除栅极布置为与栅叠件的第一侧相邻。字线布置为与第一侧相对的栅叠件的第二侧相邻。字线包括相较于字线的顶面显示出降低的高度且位于字线中与栅叠件相对的一侧上的字线横档。多晶硅逻辑栅极的顶面基本与字线横档齐平。ILD层布置在栅叠件、擦除栅极、多晶硅逻辑栅极和字线上方。接触件延伸穿过ILD层。本发明还提供了用于制造嵌入式闪存器件的方法。

主权项

1.一种嵌入式闪存器件，包括：栅叠件，包括布置在浮栅上方的控制栅极；擦除栅极，布置为与所述栅叠件的第一侧相邻；字线，布置为与所述栅叠件的与所述第一侧相对的第二侧相邻，其中，所述字线包括相较于所述字线的顶面显示出降低的高度并且位于所述字线中与所述栅叠件相对的一侧上的字线横档；多晶硅逻辑栅极，具有与所述字线横档基本齐平的顶面；层间介电(ILD)层，布置在所述栅叠件、所述擦除栅极、所述多晶硅逻辑栅极和所述字线上方；以及接触件，延伸穿过所述层间介电层直至到达所述擦除栅极、所述字线和所述多晶硅逻辑栅极中的一个。