[发明专利]依靠光刻胶辅助形成Y型栅金属介质空洞的方法

摘要

本发明是依靠光刻胶辅助形成Y型栅金属介质空洞的方法，包括如下步骤：1）通过光刻工艺形成光刻胶对Y型栅金属条的覆盖；2）低温生长SiN介质；3）通过光刻、介质刻蚀工艺对栅金属条两端头进行介质开孔；4）去牺牲层光刻胶形成Y型栅的介质空洞；5）生长SiN介质封堵栅金属条两端头的介质开孔。优点：本方法形成的栅金属下介质空洞更大，栅寄生电容减小更显著，对于毫米波应用的亚微米、深亚微米栅长二代、三代半导体场效应器件，采用本方法以减小器件栅寄生电容具有积极意义。

主权项

1.依靠光刻胶辅助形成Y型栅金属介质空洞的方法，其特征是包括以下步骤：1）栅金属化之后，在栅极上涂覆光刻胶，并进行图形光刻和显影，形成覆盖Y型栅的光刻胶图形；2）在覆盖有光刻胶图形的Y形栅极上生长SiN介质，温度为60℃；3）在SiN介质表面涂覆光刻胶，并形成掩膜图形，对SiN介质进行刻蚀，使得下层的光刻胶在栅极两端头暴露；4）去胶；5）生长SiN介质对栅金属条两端头的介质开口进行封堵；所述步骤4）去胶有a、b两种辅助措施，其中a）在第3步的光刻胶掩膜图形中加入辅助孔（601）；在后续的介质刻蚀工艺中这些辅助孔被复制到介质上、形成辅助介质孔，这将有利于溶剂交换促进去胶；b）采用氧等离子体灰化去胶，为了减小氧等离子体处理过程对器件表面的影响，在步骤1）之前在栅极表面生长一层厚度10‑20nm的SiN介质进行表面钝化、保护。