[发明专利]依靠光刻胶辅助形成Y型栅金属介质空洞的方法

权利要求书

1.依靠光刻胶辅助形成Y型栅金属介质空洞的方法，其特征是包括以下步骤：

1）栅金属化之后，在栅极上涂覆光刻胶，并进行图形光刻和显影，形成覆盖Y型栅的光刻胶图形；

2）在覆盖有光刻胶图形的Y形栅极上生长SiN介质，温度为60℃；

3）在SiN介质表面涂覆光刻胶，并形成掩膜图形，对SiN介质进行刻蚀，使得下层的光刻胶在栅极两端头暴露；

4）去胶；

5）生长SiN介质对栅金属条两端头的介质开口进行封堵；

所述步骤4）去胶有a、b两种辅助措施，其中

a）在第3步的光刻胶掩膜图形中加入辅助孔（601）；在后续的介质刻蚀工艺中这些辅助孔被复制到介质上、形成辅助介质孔，这将有利于溶剂交换促进去胶；

b）采用氧等离子体灰化去胶，为了减小氧等离子体处理过程对器件表面的影响，在步骤1）之前在栅极表面生长一层厚度10-20nm的SiN介质进行表面钝化、保护。

2.依靠易腐蚀SiON介质辅助的栅介质空洞形成方法，其特征包括如下步骤：

1）栅金属化后生长一层SiN介质（801）进行器件表面的钝化、保护；

2）在SiN介质（801）的上表面生长厚度大于栅高度的SiON易腐蚀介质（901）；调整介质生长的工艺条件使得此步骤生长的SiON介质易被氢氟酸溶液溶解掉；

3）通过光刻工艺形成长方形的光刻胶掩膜图形，用于介质刻蚀；

4）用氢氟酸溶液腐蚀SiON介质，然后去除步骤3）中形成的光刻胶；

5）在去除光刻胶后的SiON介质（1201）外表面生长SiN介质或者旋涂苯并环丁烯、烘烤固化；

6）通过光刻工艺形成光刻胶掩膜；进行SiN或苯并环丁烯介质刻蚀，经过介质刻蚀以后，下层辅助介质SiON在栅金属条的两端头暴露出来；

7）用氢氟酸溶液对SiON介质进行腐蚀溶解；

8）生长SiN介质对栅金属条两端头的介质开口进行封堵；

所述的步骤6）的光刻胶掩膜图形中加入辅助孔；在后续的介质刻蚀工艺中这些辅助孔被复制到介质上，形成辅助介质孔。