[发明专利]一种微波氢等离子体处理提升碳纳米管场发射性能的方法有效
| 申请号： | 201510153273.4 | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104851765B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 邓建华;程国安;韩阿龙;程琳 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司12207 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波氢等离子体处理提升碳纳米管场发射性能的方法。其主要包括以下制备工艺用载能铁离子轰击预处理洁净的硅晶片；用常规的热化学气相沉积法在硅单晶片上制备碳纳米管阵列；利用低功率微波氢等离子体处理碳纳米管阵列；将所得的碳纳米管阵列在1273K温度下热处理3小时，得到场发射性能改善的碳纳米管阵列。经本方法处理后的碳纳米管表面富集大量缺陷、部分碳纳米管顶端开口、直径变小，以其为场发射阴极时具有非常低的开启场和阈值场。热处理碳纳米管改善了其与基底间的结合，使得其最大场发射电流密度大幅提升，在大场发射电流密度应用方面展现出了较高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 等离子体 处理 提升 纳米 发射 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种微波氢等离子体处理提升碳纳米管场发射性能的方法，其特征是：在载能铁离子轰击过的硅晶片上用热化学气相沉积法制备碳纳米管阵列，并利用微波氢等离子体处理碳纳米管阵列，通过调节微波功率为80‑100W、基底温度为1000K、处理室气压为1kPa、处理时间为0.5‑2小时来控制碳纳米管的形貌，然后将所得碳纳米管阵列在1273K温度下热处理3小时，最终获得表面缺陷富集、开口、变细、场发射性能改善的碳纳米管阵列。
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