[发明专利]一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法在审

专利信息
申请号: 201510153227.4 申请日: 2015-04-01
公开(公告)号: CN104821373A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 仪明东;黄维;邵雅清;解令海;郭佳林;谢明;张宁 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 汪旭东
地址: 210003 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法,在绝缘层-半导体层界面间增加两层聚合物修饰,整个器件从上到下依次是:源漏电极、半导体、高介电常数材料的聚合物、电绝缘性较好的聚合物、表面有一定厚度的二氧化硅的硅衬底,这一结构的介电层既具有较好的绝缘性,同时也具有较高的电容。通过测量电学性质与半导体粒子生长形貌及结晶度,可以判定本器件是一个高性能的有机场效应晶体管。本发明的优点是,该有机场效应晶体管具有高迁移率、开关比,并且施加持续栅压后也维持较好性能,同时在空气中也具备较好的稳定性质。
搜索关键词: 一种 双层 修饰 性能 有机 场效应 晶体管 及其 方法
【主权项】:
一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管,包括源漏电极、半导体层、绝缘层,所述绝缘层为二氧化硅/硅基片,其特征在于,所述半导体层与二氧化硅/硅衬底之间从上到下依次有高‑k材料聚合物层和高绝缘性聚合物层。
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