[发明专利]一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法在审
申请号: | 201510153227.4 | 申请日: | 2015-04-01 |
公开(公告)号: | CN104821373A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 仪明东;黄维;邵雅清;解令海;郭佳林;谢明;张宁 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 210003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法,在绝缘层-半导体层界面间增加两层聚合物修饰,整个器件从上到下依次是:源漏电极、半导体、高介电常数材料的聚合物、电绝缘性较好的聚合物、表面有一定厚度的二氧化硅的硅衬底,这一结构的介电层既具有较好的绝缘性,同时也具有较高的电容。通过测量电学性质与半导体粒子生长形貌及结晶度,可以判定本器件是一个高性能的有机场效应晶体管。本发明的优点是,该有机场效应晶体管具有高迁移率、开关比,并且施加持续栅压后也维持较好性能,同时在空气中也具备较好的稳定性质。 | ||
搜索关键词: | 一种 双层 修饰 性能 有机 场效应 晶体管 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管,包括源漏电极、半导体层、绝缘层,所述绝缘层为二氧化硅/硅基片,其特征在于,所述半导体层与二氧化硅/硅衬底之间从上到下依次有高‑k材料聚合物层和高绝缘性聚合物层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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