[发明专利]一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法

权利要求书

1.一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管，包括源漏电极、半导体层、绝缘层，所述绝缘层为二氧化硅/硅基片，其特征在于，所述半导体层与二氧化硅/硅衬底之间从上到下依次有高-k材料聚合物层和高绝缘性聚合物层。

2.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管，其特征在于，所述高-k材料聚合物层中高-k材料聚合物选自聚乙烯醇、聚对乙烯基苯酚、氰乙基普鲁兰多糖。

3.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管，其特征在于，所述高绝缘性聚合物层中高绝缘性聚合物选自聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管，其特征在于，所述高绝缘性聚合物与高-k材料聚合物依次旋涂于所述绝缘层。

5.一种权利要求1-4任一有机场效应晶体管的修饰方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)配置高绝缘性聚合物溶液，高绝缘性聚合物，溶于乙酸乙酯，浓度10-60mg/ml；

(2)配置交联高-k材料聚合物溶液：采用酸酐类化合物作交联剂，选用高溶解度含酯溶剂，选用基于该聚合物单体的有机碱做催化剂，配置成浓度为10-30mg/ml的溶液；

(3)选择表面有40-60nm二氧化硅的重掺杂的硅作为基片，清洗干净基片后烘干；

(4)在干净的基片表面旋涂步骤(1)配置好的高绝缘性聚合物溶液，厚度为180-300nm；然后在其上旋涂交联高-k材料聚合物溶液，厚度为60-80nm；

(5)将旋涂完的片子放入烘箱中烘干，之后冷却；

(6)在修饰层上真空蒸镀半导体材料和源漏电极。

6.根据权利要求5所述有机场效应晶体管的修饰方法，其特征在于，步骤(1)中所述高绝缘性聚合物溶液为聚甲基丙烯酸甲酯溶液。

7.根据权利要求5所述有机场效应晶体管的修饰方法，其特征在于，步骤(2)中所述高-k材料聚合物溶液为联聚对乙烯基苯酚溶液。

8.根据权利要求5所述有机场效应晶体管的修饰方法，其特征在于，所述交联剂为4,4'-(六氟异亚丙基)二酞酸酐，所述溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯，所述催化剂为三乙胺。

9.根据权利要求5所述有机场效应晶体管的修饰方法，其特征在于，步骤(6)所述真空蒸镀半导体材料为并五苯，蒸镀速率为真空度控制在6×10^-4pa-10^-5pa，采用晶振控制厚度在40-70nm；步骤(6)所述真空蒸镀源漏电极为金，蒸镀速率为真空度控制在6×10^-4pa-10^-5pa，采用晶振控制厚度在15-40nm。

10.根据权利要求5所述有机场效应晶体管的修饰方法，其特征在于：两层聚合物旋涂完后的总厚度控制在200-380nm，半导体层的厚度为40-70nm，源漏电极为15-40nm。