[发明专利]一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201510146636.1 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104862782B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 刘毅;沈亚英;刘畅;候佩佩;洪樟连 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B7/14;C30B28/04;H01L31/032 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途。以碱金属化合物、金属铜、二元固溶体硫化锑和单质硫为原料，水合肼和聚乙二醇为溶剂，在120‑190℃烘箱中反应4‑9天，得到四元硫化物半导体材料。化学组成式为AxCuySbzS(x+y+3z)/2，其中A为平衡阴离子骨架的碱金属原子，x表示碱金属原子的摩尔量，y表示构成骨架过渡金属原子的摩尔量，z表示构成骨架原子的摩尔量。本方法具有操作过程简单，原料成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本方法得到的四元硫化物，产率可达到60%‑90%，晶粒尺寸为150‑300μm，化学纯度高，用于制备光学半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化物 半导体材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种四元硫化物半导体材料的制备方法，其特征在于，其化学组成式为：KCu2SbS3，属于三斜晶系，空间群是P‑1(2)，a=6.3857 Å，b=9.1361 Å，c=10.4672 Å，α=90.51°，β=91.32°，γ=91.49°，Z=4，V=610.26 Å3，能隙为1.41 eV；四元硫化物半导体材料的制备方法为：以0.5 mmol碱金属化合物碳酸钾K2CO3、2.0 mmol金属铜、0.5 mmol二元固溶体硫化锑Sb2S3和2.0 mmol单质硫为原料，1.0 mL水合肼和2.5 mL聚乙二醇为溶剂，在120 ℃烘箱中反应9天，得到四元硫化物半导体材料。
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