[发明专利]多晶硅薄膜和半导体器件的制备方法、显示基板及装置在审
| 申请号： | 201510142635.X | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104867812A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 徐文清;龙春平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜和半导体器件的制备方法、显示基板及装置，所述多晶硅薄膜的制备方法包括：在基板上形成缓冲层，在所述缓冲层的表面形成规则排列的第一凹槽，在所述缓冲层上形成非晶硅薄膜，采用光学退火工艺对所述非晶硅薄膜进行结晶处理从而形成多晶硅薄膜。本发明提供的技术方案在形成非晶硅薄膜之前，在缓冲层上形成规则排列的第一凹槽，然后采用光学退火工艺进行结晶处理。由于第一凹槽处不是激光束的焦点，因此能量相对于其他位置较低，在结晶过程中形成未融化的结晶种子，从而形成多晶硅。由于这些第一凹槽是规则排列的，因此能够形成晶粒尺寸均匀而且晶粒排列规则的多晶硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 半导体器件 制备 方法 显示 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层的表面形成规则排列的第一凹槽；在所述缓冲层上形成非晶硅薄膜；采用光学退火工艺对所述非晶硅薄膜进行结晶处理，以形成多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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