[发明专利]一种用于MOCVD宕机后可提高GaN外延良率的方法有效
| 申请号： | 201510142338.5 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104790030B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 南琦;吴岳;傅华;冯美鑫;蔡金;陆俊;王辉;王怀兵 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司32102 | 代理人： | 陆明耀,陈忠辉 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于MOCVD宕机后可提高GaN外延薄膜良率的方法，包括如下步骤，正常生长GaN 外延薄膜时，先将衬底放入MOCVD生长室，升高温度至1050℃~1100℃之间，并向反应室内通入氢气，对衬底表面进行预处理；向反应室通入源气体，按照反应式，进行氮化镓外延薄膜的生长，同时向反应室内通Ga源和氮源，同时将反应室升温至GaN 外延薄膜生长所需温度范围1000℃以上；当MOCVD机台宕机时，打开MOCVD设备的氨气气动阀，通入氨气进入反应室，促进反应的进行并进行后续外延片的接长，氨气气动阀打开在MOCVD机台停止加热3min内。由于宕机时采用NH3保护，使得宕机外延片不被破坏和污染；可以直接从宕机步骤进行接长，接长开始时亦需要在升温段使用NH3保护外延片，防止升温GaN分解。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 mocvd 宕机后可 提高 gan 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种用于MOCVD宕机后可提高GaN外延薄膜良率的方法，包括如下步骤，S1、正常生长GaN 外延薄膜时，先将衬底放入MOCVD生长室，升高温度至1050℃~1100℃之间，并向反应室内通入氢气，对衬底表面进行预处理；S2、向反应室通入源气体，按照反应式，进行氮化镓外延薄膜的生长，同时向反应室内通入反应所需的Ga源和氮源，同时将反应室升温至GaN 外延薄膜生长所需温度1000℃以上；其特征在于：当所述任意一步骤中MOCVD机台宕机时，打开MOCVD设备的氨气气动阀，通入氨气进入反应室，促进反应的进行并进行后续外延片的接长，所述氨气气动阀打开在MOCVD机台停止加热3min内；所述氨气的通入量为50L/min‑150L/min。
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