[发明专利]高压MOSFET电流采样电路有效
| 申请号： | 201510135784.3 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104764924B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘俊龙;刘肖俊;王莉;田欢;裘伟光 | 申请（专利权）人： | 深圳市英特源电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所44298 | 代理人： | 王少强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压MOSFET电流采样电路，包括开关控制模块、电压取样模块、电压/电流转换模块和电压输出模块；开关控制模块控制该电流取样电路的取样时间点，电压取样模块获取取样电压，电压/电流转换模块将取样电压转换为取样电流，然后通过电压输出模块输出相应的电压。本发明直接取样高压功率MOSFET开关器件的漏极和源极之间的电压差，以判断流经该高压功率MOSFET开关器件的电流，避免了传统技术中增设取样元件而导致功率损耗的问题；同时，通过时序信号控制开关控制模块的开启与关闭，以适应不同输入电压范围，并提高了采样电流的精度，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mosfet 电流 采样 电路 | ||
【主权项】：
一种高压MOSFET电流采样电路，其特征在于，包括：开关控制模块，电连接于MOSFET开关器件的第一端和第二端，根据第一时序信号开启或关闭，用于控制所述电流采样电路的取样时间点；电压取样模块，电连接于所述开关控制模块，包括多个MOS管，用于获取所述MOS管的漏极和源极之间的取样电压；电压/电流转换模块，电连接于所述电压取样模块，用于将所述电压取样模块的所述取样电压转换为取样电流；及电压输出模块，电连接于所述电压/电流转换模块，用于根据所述电压/电流转换模块的所述取样电流输出相应的电压。
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