[发明专利]非易失性存储器和具有该非易失性存储器的存储装置有效
| 申请号： | 201510130134.X | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104952478B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 表锡洙;郑铉泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器和具有该非易失性存储器的存储装置。根据本发明构思的非易失性存储器从存储数据的真实单元和存储互补数据的互补单元执行读操作，从而增大或最大化感测容限。另外，非易失性存储器将多个真实单元/互补单元连接至字线，从而显著减小存储器单元阵列的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 具有 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包括：用于存储数据的第一真实单元和第二真实单元；用于存储所述数据的互补数据的第一互补单元和第二互补单元；位线，其分别连接至第一真实单元和第二真实单元的第一端；互补位线，其分别连接至第一互补单元和第二互补单元的第一端；第一子字线，其连接至第一真实单元的第二端；第二子字线，其连接至第二真实单元的第二端；第一互补子字线，其连接至第一互补单元的第二端；第二互补子字线，其连接至第二互补单元的第二端；以及第一晶体管，其被构造为响应于施加至第一字线的第一导通电压将第一子字线连接至第一源极线；第一互补晶体管，其被构造为响应于第一导通电压将第一互补子字线连接至第一互补源极线；第二晶体管，其被构造为响应于施加至第二字线的第二导通电压将第二子字线连接至第一源极线；以及第二互补晶体管，其被构造为响应于第二导通电压将第二互补子字线连接至第一互补源极线。
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