[发明专利]非易失性存储器和具有该非易失性存储器的存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器，包括：

用于存储数据的第一真实单元和第二真实单元；

用于存储所述数据的互补数据的第一互补单元和第二互补单元；

位线，其分别连接至第一真实单元和第二真实单元的第一端；

互补位线，其分别连接至第一互补单元和第二互补单元的第一端；

第一子字线，其连接至第一真实单元的第二端；

第二子字线，其连接至第二真实单元的第二端；

第一互补子字线，其连接至第一互补单元的第二端；

第二互补子字线，其连接至第二互补单元的第二端；以及

第一晶体管，其被构造为响应于施加至第一字线的第一导通电压将第一子字线连接至第一源极线；

第一互补晶体管，其被构造为响应于第一导通电压将第一互补子字线连接至第一互补源极线；

第二晶体管，其被构造为响应于施加至第二字线的第二导通电压将第二子字线连接至第一源极线；以及

第二互补晶体管，其被构造为响应于第二导通电压将第二互补子字线连接至第一互补源极线。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，第一真实单元和第二真实单元以及第一互补单元和第二互补单元中的每一个是磁性隧道结单元。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其中，第一字线和第二字线与第一源极线和第一互补源极线按照相同方向延伸。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，还包括：

位线选择晶体管，其被构造为响应于列选择信号将位线中的一根选择性地连接至第一数据线；以及

互补位线选择晶体管，其被构造为响应于列选择信号将互补位线中的一根选择性地连接至第二数据线。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器，还包括：

输入缓冲器，其向第一数据线提供对应于所述数据的电压；以及

互补输入缓冲器，其向第二数据线提供对应于所述互补数据的电压。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中，在关于第一真实单元和第二真实单元之一的写操作中向位线施加预充电电压之后，将地电压施加至所选择的位线，将导通电压施加至所选择的字线，并且将写电压施加至第一源极线。

7.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中，在关于第一互补单元和第二互补单元之一的写操作中向互补位线施加地电压之后，将预充电电压施加至所选择的互补位线，将导通电压施加至所选择的字线，并且将地电压施加至第一互补源极线。

8.根据权利要求4所述的非易失性存储器，还包括：

感测放大器，其被构造为感测第一数据线和第二数据线的电压或电流。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中，在关于第一真实单元和第二真实单元之一的读操作中向位线施加地电压之后，将导通电压施加至所选择的字线，并且将地电压施加至第一源极线。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中，在关于第一互补单元和第二互补单元之一的读操作中向互补位线施加地电压之后，将导通电压施加至所选择的字线，并且将地电压施加至第一互补源极线。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器，还包括：

源极线控制电路，其被构造为响应于源极线控制信号独立地控制施加至第一源极线和第一互补源极线的电压。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器，还包括：

源极线控制信号产生器，其被构造为响应于数据、读使能信号和写使能信号来产生源极线控制信号。

13.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，导通电压是电源电压。