[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201510128390.5 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN104779292B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;张臣雄;杨喜超;赵静 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 罗振安 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，属于场效应晶体管技术领域。所述隧穿场效应晶体管包括两端分别设置有第一掺杂区域和第二掺杂区域的衬底；衬底上形成有鱼鳍形凸起的沟道区域，保护层，侧墙形状的沟道刻蚀硬掩膜层结构，栅极绝缘介质层；形成有栅极绝缘介质层的衬底上形成有第一栅极和第二栅极，且第一栅极和第二栅极分别位于沟道区域的两侧；形成有第一栅极和第二栅极的衬底上形成有绝缘材料填充层；第一掺杂区域与第二掺杂区域的掺杂区域间隔预设距离，预设距离大于沟道区域的宽度且小于衬底的长度。本发明解决了EHB‑TFET结构通用性较低的问题，实现了提高通用性的效果，用于控制器件的开启与关闭。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括：两端分别设置有第一掺杂区域和第二掺杂区域的衬底；所述衬底上形成有鱼鳍形凸起的沟道区域；形成有所述沟道区域的衬底上形成有保护层；形成有所述保护层的衬底上形成有侧墙形状的沟道刻蚀硬掩膜层结构；形成有所述侧墙形状的沟道刻蚀硬掩膜层结构的衬底上形成有栅极绝缘介质层；形成有所述栅极绝缘介质层的衬底上形成有第一栅极和第二栅极，且所述第一栅极和所述第二栅极分别位于所述沟道区域的两侧；形成有所述第一栅极和所述第二栅极的衬底上形成有绝缘材料填充层；所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域的掺杂区域间隔预设距离，所述预设距离大于所述沟道区域的宽度且小于所述衬底的长度；所述沟道区域的轴截面呈梯形，所述梯形的上底长度小于所述梯形的下底长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510128390.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
