[发明专利]具有晶体管的半导体元件的制法有效
| 申请号： | 201510124188.5 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN104766801B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 冉晓雯;蔡娟娟;孟心飞;蔡武卫;陈家新 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有晶体管的半导体元件的制法，包括提供一承载板；于该承载板上形成金属氧化物半导体层；于该金属氧化物半导体层上形成介电层；于该介电层上形成孔洞状图案化遮罩层，该孔洞状图案化遮罩层构成微纳米级线宽的图案，以外露部分该介电层；使该金属氧化物半导体层外露于该介电层开孔；对外露的该金属氧化物半导体层进行表面处理，以使该金属氧化物半导体层的外露表面的载子浓度增加；以及于外露的该金属氧化物半导体层上形成源极金属层与漏极金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶体管 半导体 元件 制法 | ||
【主权项】：
一种具有晶体管的半导体元件的制法，其特征在于，包括：提供一承载板；于该承载板上形成金属氧化物半导体层；于该金属氧化物半导体层上形成介电层，使该金属氧化物半导体层夹置于该承载板与介电层之间；于该金属氧化物半导体层上的该介电层上涂布多个5纳米至50微米的微纳米球，并于该金属氧化物半导体层上的该介电层与所述微纳米球上形成金属材料的遮罩层，接着移除所述微纳米球及其上的遮罩层以形成孔洞状图案化遮罩层，该孔洞状图案化遮罩层用于构成微纳米级线宽的图案以外露该金属氧化物半导体层上的部分该介电层；移除未被该孔洞状图案化遮罩层所覆盖的介电层，以形成介电层开孔，使该金属氧化物半导体层外露于该介电层开孔；借由光退火处理对外露的该金属氧化物半导体层进行表面处理，以使该金属氧化物半导体层的外露表面的载子浓度增加，使该金属氧化物半导体层的表层构成具有10纳米至999微米的微纳米级线宽的图案的高载子浓度子层；以及于外露的该金属氧化物半导体层上形成源极金属层与漏极金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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