[发明专利]一种原位自生长的太阳选择性吸收膜及其制备方法

摘要

一种原位自生长的太阳选择性吸收膜及其制备方法，属于太阳选择性吸收膜制备技术领域。由不锈钢金属基片衬底和在不锈钢金属基片衬底上原位自生长的泡沫状纳米结构吸收薄膜组成，吸收薄膜的厚度为1～3μm，膜层中及膜表面分布有较均匀的由类尖晶石结构的Fe3-x-yCrxNiyO4(x＝0.18～0.27,y＝0.25～0.35)纳米粒子团堆积的孔隙，纳米粒子团的粒径是20～60nm，孔隙的尺寸是20～80nm。本发明的吸收薄膜在保持高太阳吸收率和低热发射率前提下，具有结构简单，泡沫状纳米结构原位生长于基底上，结合紧密牢固，热稳定性和耐候性较好。该膜可以用在太阳能光热发电集热管领域。

主权项

一种原位自生长的太阳选择性吸收膜，其特征在于：由不锈钢金属基片衬底(1)和在不锈钢金属基片衬底上原位自生长的泡沫状纳米结构吸收薄膜(2)组成，吸收薄膜的厚度为1～3μm，膜层中及膜表面分布有较均匀的由类尖晶石结构的Fe3‑x‑yCrxNiyO4纳米粒子团堆积的孔隙，纳米粒子团的粒径是20～60nm，孔隙的尺寸是20～80nm；其中，x＝0.18～0.27，y＝0.25～0.35。