[发明专利]一种原位自生长的太阳选择性吸收膜及其制备方法

权利要求书

1.一种原位自生长的太阳选择性吸收膜，其特征在于：由不锈钢金属基片衬底(1)和在不锈钢金属基片衬底上原位自生长的泡沫状纳米结构吸收薄膜(2)组成，吸收薄膜的厚度为1～3μm，膜层中及膜表面分布有较均匀的由类尖晶石结构的Fe_3-x-yCr_xNi_yO₄纳米粒子团堆积的孔隙，纳米粒子团的粒径是20～60nm，孔隙的尺寸是20～80nm；其中，x＝0.18～0.27，y＝0.25～0.35。

2.如权利要求1所述的一种原位自生长的太阳选择性吸收膜，其特征在于：所述的不锈钢金属基片衬底(1)按质量百分数计，含Mn：≤2.00％、S：≤0.030％、P：≤0.045％、Cr：16.00～18.00％、Ni：10.00～14.0％，厚度为0.2～2mm。

3.如权利要求1或2所述的一种原位自生长的太阳选择性吸收膜，其特征在于：不锈钢金属基片衬底(1)是不锈钢SS201、SS202、SS302、SS408、SS410、SS416、SS409、SS440、SS316L或SS304中的一种。

4.权利要求1、2或3所述的一种原位自生长的太阳选择性吸收膜的制备方法，其步骤如下：

1)将不锈钢片表面用酒精棉擦拭，使表面变光滑和洁净；

2)将表面光滑和洁净的不锈钢片放入到5M～20M的NaOH溶液中，再一起加入到反应釜中，在100～250摄氏度下反应6～40h；

3)将反应釜取出后自然冷却至室温，再将反应产物超声7～25h；

4)将不锈钢片取出后用去离子水洗涤，最后在20～90摄氏度下干燥，从而在不锈钢片表面得到原位自生长的太阳选择性吸收膜。