[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法有效
申请号: | 201510116669.1 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN104750312B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 田部真理;安藤豪彦;菅原英男 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供透明导电性薄膜的制造方法。课题在于在透明导体层被图案化了的透明导电性薄膜中,即使在将基材的厚度减小至80μm以下时,也可抑止由可看到透明导体层的图案边界导致的美观性降低。本发明的制造方法包括层叠体准备工序,准备在挠性透明基材上形成有未图案化的透明导体层的层叠体;图案化工序,将一部分透明导体层去除,图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部;以及热处理工序,对透明导体层图案化之后的前述层叠体进行加热。优选热处理工序中的、图案形成部的尺寸变化率H1与图案开口部的尺寸变化率H2之差H1‑H2的绝对值小于0.03%。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电性 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种透明导电性薄膜的制造方法,其是制造在具有透明薄膜基材的挠性透明基材的一个面上具备图案化了的透明导体层的透明导电性薄膜的方法,该透明导电性薄膜包括在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部,挠性透明基材的厚度为80μm以下,所述透明导体层的厚度为10nm~30nm,该方法包括下述工序:层叠体准备工序,准备在挠性透明基材上形成有未图案化的透明导体层的层叠体,所述透明导体层通过真空蒸镀法、溅射法或离子电镀法形成;图案化工序,将一部分所述透明导体层去除,图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部;以及热处理工序,对透明导体层被图案化之后的所述层叠体进行加热,一部分所述透明导体层的去除是通过使用蚀刻剂的湿法蚀刻进行的,并且,在所述热处理工序中将所述层叠体加热干燥,热处理工序中的、图案形成部的尺寸变化率H1与图案开口部的尺寸变化率H2之差H1‑H2的绝对值小于0.03%。
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