[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法

说明书

本申请是申请日为2012年08月24日、申请号为2012103065672、发明名称为“透明导电性薄膜的制造方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及在挠性透明基材的一个面上具有透明导体层的透明导电性薄膜的制造方法。

背景技术

迄今，作为触摸屏等中使用的透明导电性薄膜，已知有在透明薄膜等挠性透明基材上层叠有由ITO等导电性金属氧化物形成的透明导体层的薄膜。近年来，可多点输入(多点触摸)的投影型静电容量方式的触摸屏、矩阵型的电阻膜方式触摸屏受到注目，在这些触摸屏中，透明导电性薄膜的透明导体层被图案化为规定形状(例如条纹状)。这种透明导电性薄膜包括在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部。

透明导体层被图案化的情况下，有时起因于形成有透明导体层的部分(图案形成部)与未形成透明导体层的部分(图案开口部)之间的反射率差，可看到图案，作为显示元件的美观性变差。从抑制这种由透明导体层的有无导致的视觉识别性的差异的角度出发，提出了：在薄膜基材与透明导体层之间设置多个光学干涉层作为底涂层，将光学干涉层的折射率等调整至规定范围(例如专利文献1～4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-15861号公报

专利文献2：日本特开2008-98169号公报

专利文献3：日本特许第4364938号说明书

专利文献4：日本特开2009-76432号公报

发明内容

发明要解决的问题

如上所述，透明导体层被图案化的情况下，要求其边界不容易被看到，在此基础上，从显示装置的轻量化、薄型化的角度出发，要求触摸屏等中使用的透明导电性薄膜薄型化。为了减小透明导电性薄膜的厚度，需要减小占其大部分厚度的薄膜基材的厚度。然而，本发明人等进行了研究，结果弄清，如果减小薄膜基材的厚度，则即使在基材与透明导体层之间设置有光学干涉层，在将透明导电性薄膜组装到了触摸屏中时，有时透明导体层的图案边界也容易被看到，美观性变差。

鉴于上述情况，本发明的目的在于提供即使在基材的厚度较小为80μm以下时，在组装到触摸屏中时透明导体层的图案也不容易被看到的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

鉴于上述技术问题，本发明人等研究的结果发现通过减小将透明导电性薄膜的透明导体层图案化之后进行的热处理工序中图案形成部与图案开口部的尺寸变化率之差，透明导体层的图案变得不容易被看到，从而完成了本发明。

本发明涉及在厚度80μm以下的挠性透明基材上具备图案化了的透明导体层的透明导电性薄膜的制造方法。透明导电性薄膜包括在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部。本发明的制造方法包括下述工序：层叠体准备工序，准备在具有透明薄膜基材的挠性透明基材上形成有未图案化的透明导体层的层叠体；图案化工序，将一部分透明导体层去除，图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部；以及热处理工序，对透明导体层被图案化之后的前述层叠体进行加热。

在本发明中，优选热处理工序中的图案形成部的尺寸变化率H₁与图案开口部的尺寸变化率H₂之差H₁-H₂的绝对值较小。具体而言，H₁-H₂优选小于0.03％，更优选为0.025％以下，进一步优选为0.02％以下，特别优选为0.015％以下。

在一个实施方式中，优选对透明导体层被图案化之后的前述层叠体进行加热的热处理工序中的温度小于100℃。

在本发明的一个实施方式中，一部分透明导体层的去除可以通过使用蚀刻剂的湿法蚀刻适宜地进行。该情况下，优选在热处理工序中将前述层叠体加热干燥。

在本发明的一个实施方式中，挠性透明基材在透明薄膜基材的透明导体层形成面侧形成有底涂层。此外，优选透明导体层由掺锡氧化铟形成，优选挠性透明基材使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜作为透明薄膜基材。

发明的效果