[发明专利]真空气相沉积反应法制备硅化石墨过程中防止粘结的方法有效

专利信息
申请号: 201510116008.9 申请日: 2015-03-17
公开(公告)号: CN104725076B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 彭达鸿;李新跃;罗宏 申请(专利权)人: 自贡市鸿飞电碳制品有限责任公司;四川理工学院
主分类号: C04B41/50 分类号: C04B41/50
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司50212 代理人: 李海华
地址: 643020 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种真空气相沉积反应法制备硅化石墨过程中防止粘结的方法,将已涂覆有高纯硅与助剂的石墨基材放入坩埚时,在上下叠放的相邻石墨基材之间以及坩埚与最下层石墨基材之间分别铺设总厚度不少于2.5mm的防黏剂层,然后再放入真空炉内通过真空气相沉积反应法制备硅化石墨;其中防黏剂层由三层依次铺设形成,三层从下往上分别为碳化硅粉下层、中间层、碳化硅粉上层,所述中间层为石英砂或碳粉或石英砂和碳粉任意比例的混合物。本发明能有效防止粘结,硅化石墨后处理容易,增加坩埚的使用次数,减少废品。
搜索关键词: 空气 沉积 反应 法制 化石 过程 防止 粘结 方法
【主权项】:
真空气相沉积反应法制备硅化石墨过程中防止粘结的方法,其特征在于:将已涂覆有高纯硅与助剂的石墨基材放入坩埚时,在上下叠放的相邻石墨基材之间以及坩埚与最下层石墨基材之间分别铺设总厚度不少于2.5mm的防黏剂层,然后再放入真空炉内通过真空气相沉积反应法制备硅化石墨;其中防黏剂层由三层依次铺设形成,三层从下往上分别为碳化硅粉下层、中间层、碳化硅粉上层,所述中间层为石英砂或碳粉或石英砂和碳粉任意比例的混合物;所述碳化硅粉下层厚度为1~3mm;中间层厚度为1~3mm;碳化硅粉上层厚度0.5~2mm;所述石墨坩埚为圆柱筒形石墨坩埚,在圆柱筒形石墨坩埚的上口设置一内耳,多个石墨坩埚重叠安放于圆柱形高温真空炉体中,最上层坩埚加盖。
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