[发明专利]一种在熔体区域具有搅拌环的直拉法单晶硅生长装置有效
| 申请号： | 201510111742.6 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104726930B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘立军;周俊安;赵文翰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在熔体区域具有搅拌环的直拉法单晶硅生长装置，包括由外向内依次设置的炉壁和隔热层，在隔热层中心的底部设置有能够旋转的支撑轴，支撑轴上依次设置有石墨坩埚和石英坩埚，在石英坩埚的外侧上设置有石墨加热器；在石墨坩埚内设置有搅拌环，且搅拌环的顶端与导流筒的底端相连，导流筒的顶端与设置在炉壁顶端且用于驱动导流筒和搅拌环旋转的驱动装置相连；使用时，搅拌环的底端浸渍在石墨坩埚内的硅熔体的上表面，生长的硅晶体通过提升装置牵引提升。本发明通过控制搅拌环的旋转来控制凝固界面的形状，减少了晶体生长过程中晶体旋转部件带来的不稳定性，相对于晶体旋转，搅拌环的旋转更为稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区域 具有 搅拌 直拉法 单晶硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种在熔体区域具有搅拌环的直拉法单晶硅生长装置，其特征在于：包括由外向内依次设置的炉壁(6)和隔热层(2)，在隔热层(2)中心的底部设置有支撑轴(10)，支撑轴(10)上依次设置有石墨坩埚(7)和石英坩埚(8)，支撑轴(10)用于带动石墨坩埚(7)和石英坩埚(8)升降及旋转，在石英坩埚(8)的外侧上设置有石墨加热器(3)；在石墨坩埚(7)内设置有搅拌环(4)，且搅拌环(4)的顶端与导流筒(1)的底端相连，导流筒(1)的顶端与设置在炉壁(6)顶端且用于驱动导流筒(1)和搅拌环(4)旋转的驱动装置(12)相连；使用时，搅拌环(4)的底端浸渍在石墨坩埚(7)内的硅熔体(9)的上表面，通过驱动装置(12)带动旋转，生长的硅晶体(5)由提升装置(11)带动旋转并提升至炉体外；搅拌环(4)的横截面形状为长方形，其外侧平行于石英坩埚(8)侧壁，整体形状为环形，搅拌环(4)与导流筒(1)之间留有空隙以保证氩气通流，并通过其顶端设置的三个延伸结构与导流筒(1)的底端相连；导流筒(1)最低点距离硅熔体(9)上表面的距离大于10mm，最高点距离硅熔体(9)上表面小于200mm。
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