[发明专利]一种施加磁场快速盐浴氮化的方法在审
| 申请号： | 201510109732.9 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104775089A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 胡静;周正寿;戴明阳 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C23C8/48 | 分类号： | C23C8/48 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种施加磁场快速盐浴氮化的方法，包括以下步骤：清洗、预氧化、氮化基盐熔化、施加磁场氮化和后清洗。本发明的有益效果是：在磁场作用下，材料表面附近产生了磁畴转动和畴壁位移，增加了交换能和各向异能，加速氮原子的扩散；工件表面附近磁化而产生磁致伸缩，增加了应变能，加速氮原子的扩散；活性氮原子在磁场作用下向材料表面扩散，加速了表面吸附和扩散过程，起到催渗的作用，从而加快渗速，减少盐浴渗氮处理时间，达到节能环保的目的；在提高试样硬度和表面耐磨性的同时，保持住了试样优良的表面耐蚀性；施加磁场快速盐浴渗氮处理方法可采用低温加热获得常规盐浴渗氮同样的渗氮层厚度，从而节约能源，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 施加 磁场 快速 氮化 方法 | ||
【主权项】：
一种施加磁场快速盐浴氮化的方法，其特征是：包括以下步骤：(1)清洗：对待处理零部件进行清洗，去除表面油污及其他杂质；(2)预氧化：将清洗后的零部件放入电阻炉内进行预氧化，预氧化温度为350～450℃，时间15～30min；(3)将氮化炉升温至450～480℃进行保温，待氮化炉中坩埚内的氮化基盐充分熔化后，升温至氮化温度；(4)施加磁场氮化：将预氧化的零部件放入步骤(3)的氮化炉中进行盐浴氮化，氮化炉内施加0～2T的磁场，渗氮温度为500～570℃，渗氮时间为30～150分钟；(5)后清洗：将氮化后的零部件用水清洗，水温为15～25℃，烘干。
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