[发明专利]光电转换装置及电子设备有效
| 申请号： | 201510108890.2 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104934455B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 次六宽明 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0352;H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电流不易泄漏的结构的光电转换装置及电子设备。该光电转换装置具备基板(13)和光电二极管(9)，在光电二极管(9)中，第一半导体层(25)、第二半导体层(26)和第三半导体层(27)依次层叠于基板(13)上，第二半导体层(26)为i型半导体层，第一半导体层(25)和第三半导体层(27)中一方为n型半导体层，另一方为p型半导体层，第一半导体层(25)被第二半导体层(26)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换装置，其特征在于，具备：基板；以及光检测部，在所述光检测部中，第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层依次层叠于所述基板上，所述第二半导体层为i型半导体层，所述第一半导体层和所述第三半导体层中的一个半导体层为n型半导体层，另一个半导体层为p型半导体层，所述第一半导体层被所述第二半导体层覆盖；其中，第二半导体层中的易于发生电流泄漏的部位不存在于被夹在第一半导体层与第三半导体层之间的部位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
