[发明专利]光电转换装置及电子设备

说明书

本发明提供一种电流不易泄漏的结构的光电转换装置及电子设备。该光电转换装置具备基板(13)和光电二极管(9)，在光电二极管(9)中，第一半导体层(25)、第二半导体层(26)和第三半导体层(27)依次层叠于基板(13)上，第二半导体层(26)为i型半导体层，第一半导体层(25)和第三半导体层(27)中一方为n型半导体层，另一方为p型半导体层，第一半导体层(25)被第二半导体层(26)覆盖。

技术领域

本发明有关光电转换装置及电子设备。

背景技术

光电转换装置除了用于传真机、扫描仪等电器之外，还用于拍摄医用高性能大画面的二维图像的装置。并且，专利文献1中公开了二维配置有光电转换部的光电转换装置。根据该装置，在光电转换部使用非晶硅的半导体层，形成i型半导体层被夹在p型半导体层和n型半导体层之间的结构。于是，向层叠的半导体层施加电场且光被输入。

当光被输入i型半导体层时，在i型半导体层中产生载流子。并且，通过载流子从p型半导体层及n型半导体层流动，从而发生电流流动。由于照射至光电转换部的光的强度和电流相关，因此，光电转换装置能够对光的强度分布进行电转换并输出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-156522号公报

发明内容

(发明要解决的技术问题)

在专利文献1的光电转换部中，n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层大致为相同的平面形状。i型半导体层为未掺杂质的层。在将i型半导体层图案化为规定的平面形状的工序中，用掩模将其蚀刻为规定的形状。于是，在位于i型半导体层外周的侧面往往会残留有掩模的材料、一部分蚀刻液。并且，有时会在该处产生晶体缺陷。当半导体层中附着有杂质或存在晶体缺陷时，电流容易通过它们而流动。因此，在位于i型半导体层外周的侧面，当施加电场时，容易产生电流的泄漏。为此，期待一种电流不易在不输入光时泄漏的结构的光电转换装置。

(用于解决技术问题的方案)

本发明为解决上述技术问题而完成，可以作为以下的方式或应用例而实现。

[应用例1]

本应用例涉及一种光电转换装置，其特征在于，具备：基板；以及光检测部，在所述光检测部中，第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层依次层叠于所述基板上，所述第二半导体层为i型半导体层，所述第一半导体层和所述第三半导体层中的一个半导体层为n型半导体层，另一个半导体层为p型半导体层，所述第一半导体层被所述第二半导体层覆盖。

根据本应用例，形成为第二半导体层覆盖第一半导体层的结构。并且，第二半导体层设置至第一半导体层的周围的外侧。从而，第二半导体层的外周位于第一半导体层的外侧。因此，第二半导体层的外周不会配置于第一半导体层与第三半导体层之间。第二半导体层为i型半导体层，当存在杂质或晶格缺陷时，电流变得易于流动。并且，蚀刻时的影响有时会残留于成为第二半导体层的外周的部分。因此，在成为第二半导体层的外周的部位，在结构上，电流易于泄漏。但是，在本应用例的光电转换装置中，第二半导体层中的电流易于泄漏的部位配置于离开第一半导体层的部位。因此，能够使未输入光时的光电转换装置中的电流泄漏减少。

[应用例2]

在上述应用例所涉及的光电转换装置中，其特征在于，在从所述基板的厚度方向观察的俯视观察中，所述第三半导体层包括与所述第一半导体层相对的部位，具有比所述第一半导体层大的面积。

根据本应用例，第三半导体层被设置于与第一半导体层相对的部位。进一步地，第三半导体层具有比第一半导体层大的面积。由此，通过入射至在从基板的厚度方向看的俯视观察中位于第一半导体层周围的第二半导体层的光，光也被电转换，因此，能够高效地使对应于光的电流流动。