[发明专利]一种带自检测装置的压阻式压力传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510105497.8 申请日: 2015-03-10
公开(公告)号: CN104697681B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 聂萌;包宏权;黄庆安 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01L1/20 分类号: G01L1/20;G01L25/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 杨晓玲
地址: 214023 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种带自检测装置的压阻式压力传感器,包括玻璃基板、自检测电极、硅衬底、腐蚀停止层、外延单晶硅层、压阻条、钝化层和金属引线;硅衬底中设有真空密封腔;自检测电极连接在玻璃基板上,外延单晶硅层生长在腐蚀停止层的上方;在外延单晶硅层进行磷离子轻掺杂,形成压阻条;与压阻条相连的外延单晶硅层区域进行掺杂,形成磷离子重掺杂扩散区;钝化层覆盖在外延单晶硅层表面;金属引线的下部伸入钝化层的电极引出孔中,与磷离子重掺杂扩散区形成欧姆接触;压阻条构成惠斯通电桥。该压力传感器利用静电力模拟实际检测中的压力值,能够快速实现压力值的改变,在分析传感器性能时,具有更高效率。同时还提供传感器制备方法,简单易行。
搜索关键词: 一种 检测 装置 压阻式 压力传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种带自检测装置的压阻式压力传感器,其特征在于,该压力传感器包括玻璃基板(1)、自检测电极(2)、硅衬底(3)、腐蚀停止层(4)、外延单晶硅层(5)、压阻条(6)、钝化层(7)和金属引线(8);硅衬底(3)中设有真空密封腔(9),硅衬底(3)的下部和玻璃基板(1)通过阳极键合,腐蚀停止层(4)生长在硅衬底(3)的上方;真空密封腔(9)的底面为玻璃基板(1)的顶面,真空密封腔(9)的顶面为腐蚀停止层(4)的底面;自检测电极(2)连接在玻璃基板(1)上,且自检测电极(2)位于真空密封腔(9)中;外延单晶硅层(5)生长在腐蚀停止层(4)的上方,位于真空密封腔(9)正上方的腐蚀停止层(4)和外延单晶硅层(5)形成可动敏感薄膜层(10);非位于真空密封腔(9)正上方的腐蚀停止层(4)和外延单晶硅层(5)构成不可动敏感薄膜层(12);在外延单晶硅层(5)进行磷离子轻掺杂,形成压阻条(6);与压阻条(6)相连的外延单晶硅层(5)区域进行掺杂,形成磷离子重掺杂扩散区(11);钝化层(7)覆盖在外延单晶硅层(5)表面,钝化层(7)中设有电极引出孔;金属引线(8)的下部伸入钝化层(7)的电极引出孔中,与磷离子重掺杂扩散区(11)形成欧姆接触;压阻条(6)通过金属引线(8)相连,构成惠斯通电桥。
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