[发明专利]降低阳极空穴注入的二极管结构在审
| 申请号： | 201510103019.3 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104681635A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/02;H01L29/45 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种二极管结构，尤其是一种降低阳极空穴注入的二极管结构，属于半导体二极管的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述降低阳极空穴注入的二极管结构，包括半导体基板，所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域与N导电区域；在所述P导电区域与N导电区域之间设置有掺杂浓度大于N导电区域的N+区域。本发明通过在P导电区域与N导电区域间设置N+区域，N+区域的掺杂浓度大于N导电区域的掺杂浓度，通过N+区域与P导电区域内空穴的结合，减少进入N导电区域内的空穴注入量，从而能有效降低二极管的动态损耗，结构紧凑，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 阳极 空穴 注入 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种降低阳极空穴注入的二极管结构，包括半导体基板，所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域（2）与N导电区域（3）；其特征是：在所述P导电区域（2）与N导电区域（3）之间设置有掺杂浓度大于N导电区域（3）的N+区域（5）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科君芯科技有限公司;，未经江苏中科君芯科技有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510103019.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
