[发明专利]降低阳极空穴注入的二极管结构在审
| 申请号： | 201510103019.3 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104681635A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/02;H01L29/45 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 阳极 空穴 注入 二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低阳极空穴注入的二极管结构，包括半导体基板，所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域（2）与N导电区域（3）；其特征是：在所述P导电区域（2）与N导电区域（3）之间设置有掺杂浓度大于N导电区域（3）的N+区域（5）。
2.根据权利要求1所述的降低阳极空穴注入的二极管结构，其特征是：所述半导体基板包括硅基板，在半导体基板的正面设置用于与P导电区域（2）欧姆接触的阳极金属（1），在半导体基板的背面设置用于与N导电区域（3）欧姆接触的阴极金属（4）。
3.根据权利要求1所述的降低阳极空穴注入的二极管结构，其特征是：所述N+区域（5）的掺杂浓度为1E15cm-3~1E17cm-3。
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