[发明专利]一种功率型三维LED发光器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510102053.9 申请日: 2015-03-09
公开(公告)号: CN104659178A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 刘胜;周圣军;甘志银;郑怀;王国平;占必红;郭凌杰;陈飞 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/42;H01L33/64;H01L33/00
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种功率型三维LED发光器件,包括LED芯片和散热基板,所述LED芯片的反射层上设有贯穿反射层、透明导电层、p型掺杂的GaN或AlGaN半导体层和多量子阱层,且盲端位于n型掺杂的GaN或AlGaN半导体层的盲孔;所述反射层上分开设有嵌入式n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极,嵌入式n型欧姆接触电极包括嵌入式n型欧姆接触电极层和用于填充盲孔的n型欧姆接触电极柱;所述散热基板上设有若干个导电导热通孔,导电导热通孔中填充有导电导热金属孔芯;所述嵌入式n型欧姆接触电极层和p型欧姆接触电极焊接于导电导热金属孔芯上。本发明提供的功率型LED发光器件具有优良的电流扩展性能和散热性能。
搜索关键词: 一种 功率 三维 led 发光 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种功率型三维LED发光器件,其特征在于:包括LED芯片和散热基板,所述LED芯片从上至下依次包括GaN或AlGaN层、n型掺杂的GaN或AlGaN半导体层、多量子阱层、p型掺杂的GaN或AlGaN半导体层、透明导电层和反射层;所述反射层上设有贯穿反射层、透明导电层、p型掺杂的GaN或AlGaN半导体层和多量子阱层,且盲端位于n型掺杂的GaN或AlGaN半导体层的盲孔;所述盲孔的内侧壁上设有绝缘层,所述反射层上分开设有高度相同的嵌入式n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极,嵌入式n型欧姆接触电极包括嵌入式n型欧姆接触电极层和嵌入式n型欧姆接触电极层上的用于填充盲孔的n型欧姆接触电极柱;所述n型欧姆接触电极层与反射层间设有绝缘层;嵌入式n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极间填充有预固化填料层;所述散热基板上设有若干个导电导热通孔,导电导热通孔内壁上依次沉积有绝缘层、种子层和导电导热金属孔芯;所述嵌入式n型欧姆接触电极层和p型欧姆接触电极焊接于导电导热金属孔芯上。
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