[发明专利]一种基于金属钨电极的微细电火花并行加工方法在审
| 申请号： | 201510098307.4 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104803344A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈兢;陈献;宋璐 | 申请（专利权）人： | 苏州含光微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于金属钨电极的微细电火花并行加工方法。制备钨电极时，首先在钨基片表面溅射硬掩膜；然后在硬掩膜上涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，完成光刻胶的图形化；然后将光刻胶作为掩膜，对硬掩膜进行干法刻蚀，实现掩膜图形化的转移；然后去除光刻胶，采用等离子体深刻蚀方法进行钨电极或钨阵列电极的深刻蚀；去除硬掩膜后得到钨电极或钨阵列电极。在深刻蚀制备钨微细电极基础上，结合微细电火花加工特点，本发明能批量加工微米级复杂形状零件，而且并行批量加工的效率与精度均很高，在微细加工领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 电极 微细 电火花 并行 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种金属钨电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在钨基片表面溅射硬掩膜；2)在硬掩膜上涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，完成光刻胶的图形化；3)将光刻胶作为掩膜，对硬掩膜进行干法刻蚀，实现掩膜图形化的转移；4)去除硬掩膜上的光刻胶，采用等离子体深刻蚀方法进行钨电极或钨阵列电极的深刻蚀；5)去除硬掩膜，得到钨电极或钨阵列电极。
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