[发明专利]一种基于金属钨电极的微细电火花并行加工方法在审

专利信息
申请号: 201510098307.4 申请日: 2015-03-05
公开(公告)号: CN104803344A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 陈兢;陈献;宋璐 申请(专利权)人: 苏州含光微纳科技有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人: 邵可声
地址: 215125 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 金属 电极 微细 电火花 并行 加工 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于微电子机械系统(MEMS)工艺、微细电火花加工技术领域,具体涉及一种金属钨电极的制备方法,利用制备出的钨阵列电极可以实现微细电火花并行加工。

背景技术

微细电火花加工技术(micro-EDM)是将常规电火花加工工艺微细化,用于实现微细尺度零件特征加工的特种加工技术。微细电火花技术利用工件和工具电极之间的脉冲性火花放电,产生瞬间高温使工件材料局部熔化和汽化,从而达到蚀除加工的目的。由于加工具有非接触,几乎无切削力,不受材料的强度和硬度限制等特点,微细电火花加工技术特别适合高精度、无变形的微小零件特征加工以及硬脆难加工导电材料的微细加工。因此,微细电火花加工技术已经成为微细制造领域的一个重要方向,并越来越广泛的应用于航空航天、电子信息、模具以及光学和医疗器械中关键零件的加工。

然而,微细电极的制备一直是制约微细电火花技术发展的重要因素。采用传统线电极电火花磨削加工技术(WEDG),可以制备直径为5到300μm的微细电极。但是,这种利用单电极的串行加工方式效率很低,在电极的独立制备过程中,其一致性难以保证,因此加工精度非常有限。针对上述问题,人们提出微细电火花批量加工技术(Batch mode micro-EDM),其主要特点是利用阵列电极实现微细电火花并行加工,提高加工效率。其中,电火花线切割技术(WEDM)可以制备方形的阵列电极,但无法实现任意形状的电极加工,因此,该技术应用范围十分有限。而利用光刻技术的LIGA工艺,可以制备出任意形状的阵列电极,另外,同步辐射X射线的应用可以实现高深宽比电镀结构。电镀加工的电极以镍和铜为主,熔点较低;由于电镀工艺自身的限制和电场的非均匀分布,电镀得到的结构其材料特性相比热加工的金属体材料更为疏松,并且难以避免空洞等缺陷。在微细电火花加工过程中,电镀得到的工具电极不仅损耗很大,并且容易发生形变,严重影响加工精度。

发明内容

针对以上微细电火花电极制备技术的问题,本发明提出一种基于等离子体深刻蚀技术(DRIE)制备金属钨电极的微细电火花加工方法,使用深刻蚀加工的电极由光刻进行图形化,可以得到任意形状;电极精度高、批量加工成本低;金属钨熔点高、硬度高、加工过程中损耗很低,电火花加工精度很好。

本发明首先提供一种用于微细电火花加工的金属钨电极,其制备方法如下:

1)在钨基片表面溅射硬掩膜;

2)在硬掩膜上涂覆光刻胶,并对光刻胶进行曝光和显影,完成光刻胶的图形化;

3)将光刻胶作为掩膜,对硬掩膜进行干法刻蚀,实现掩膜图形化的转移;

4)去除硬掩膜上的光刻胶,采用等离子体深刻蚀方法(DRIE)进行钨电极或钨阵列电极的深刻蚀;

5)去除硬掩膜,得到钨电极或钨阵列电极。

进一步地,所述硬掩膜为铝掩膜,此外也可以采用AlN,Cr,Ni,Cu,Ti等材质的硬掩膜。

进一步地,所述光刻胶的厚度满足其对硬掩膜的刻蚀选择比的要求。

进一步地,步骤4)所述等离子体深刻蚀方法采用六氟化硫(SF6)作为刻蚀气体,钝化气体采用CHF3或C4F8,总流量为50~200sccm,钝化气体占50%-70%,气压≥25mTorr,RF功率≤40W,ICP功率≥1500W,采用的刻蚀速率约为0.5~2μm/min。

本发明还提供基于金属钨电极的微细电火花并行加工方法,包括如下步骤:

1)将待加工的工件固定在微细电火花加工装置的工作台上,并将该工件浸没在工作液中;

2)将钨电极固定在微细电火花加工装置的主轴头上,通过脉冲电源在钨电极和工件之间施加脉冲电压,当钨电极和工件靠近至一定距离时发生脉冲放电,进而蚀除工件材料,实现钨电极图形到工件的转移。

进一步地,所述脉冲电源的参数为:电压50~200V,电流1.0~5.0A,脉冲宽度1.0~6.0μs。

进一步地,所述钨电极为单个钨电极或者钨阵列电极。当为单个钨电极时,电极上的图形是阵列的,且可以存在多个重复单元,因此也可以实现并行加工。

进一步地,对于钨阵列电极,采用抬刀和冲油的方式,增加工作液的流动以及蚀除产物的排出,提高加工精度。

与现有技术相比,本发明的有益效果如下:

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