[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510096751.2 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105374866A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 田中文悟;末代知子;押野雄一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置包括：第二导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、第一栅极电极、第一区域、以及第二区域。第一栅极电极隔着第一绝缘膜而设置在第二半导体区域、第三半导体区域、以及第四半导体区域。第一区域设置在第二半导体区域中的第一半导体区域与第三半导体区域之间。第二区域设置在第二半导体区域中的第一区域与第一栅极电极之间。第二区域的第一导电型的载流子密度低于第一区域的第一导电型的载流子密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：第二导电型的第一半导体区域；第一导电型的第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域上；第二导电型的第三半导体区域，设置在所述第二半导体区域上；第一导电型的第四半导体区域，设置在所述第三半导体区域上；第一栅极电极，隔着第一绝缘膜而设置在所述第二半导体区域、所述第三半导体区域、以及所述第四半导体区域；第一区域，设置在所述第二半导体区域中的所述第一半导体区域与所述第三半导体区域之间；以及第二区域，设置在所述第二半导体区域中的所述第一区域与所述第一栅极电极之间，并且具有低于所述第一区域的第一导电型的载流子密度的第一导电型的载流子密度。
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