[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

第二导电型的第一半导体区域；

第一导电型的第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域上；

第二导电型的第三半导体区域，设置在所述第二半导体区域上；

第一导电型的第四半导体区域，设置在所述第三半导体区域上；

第一栅极电极，隔着第一绝缘膜而设置在所述第二半导体区域、所述第三半导 体区域、以及所述第四半导体区域；

第一区域，设置在所述第二半导体区域中的所述第一半导体区域与所述第三半 导体区域之间；以及

第二区域，设置在所述第二半导体区域中的所述第一区域与所述第一栅极电极 之间，并且具有低于所述第一区域的第一导电型的载流子密度的第一导电型的载流 子密度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：

第四区域，设置在所述第三半导体区域中的所述第二区域与所述第四半导体区 域之间；以及

第三区域，设置在所述第三半导体区域中的所述第三区域与所述第一栅极电极 之间；并且

第一界面与所述第一半导体区域之间的距离小于第二界面与所述第一半导体 区域之间的距离，所述第一界面是所述第二半导体区域与所述第三半导体区域的界 面中位于所述第一区域与所述第四区域之间的界面，所述第二界面是所述第二半导 体区域与所述第三半导体区域的所述界面中位于所述第二区域与所述第三区域之 间的界面。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述第四区域的第二导电型的载 流子密度高于所述第三区域的第二导电型的载流子密度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：第一电极，隔着第二绝缘 膜而设置在所述第二半导体区域、所述第三半导体区域、以及所述第四半导体区域； 并且

所述第一区域设置在所述第二区域与所述第一电极之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：第二栅极电极，隔着第二 绝缘膜而设置在所述第二半导体区域、所述第三半导体区域、以及所述第四半导体 区域；以及

第五区域，设置在所述第二半导体区域中的所述第一区域与所述第二栅极电极 之间，并且具有高于所述第一区域的第一导电型的载流子密度的第一导电型的载流 子密度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于还包括：

第四区域，设置在所述第三半导体区域中的所述第一区域与所述第四半导体区 域之间；以及

第三区域，设置在所述第三半导体区域中的所述第四区域与所述第一栅极电极 之间；并且

第一界面与所述第一半导体区域之间的距离大于第二界面与所述第一半导体 区域之间的距离，所述第一界面是所述第二半导体区域与所述第三半导体区域的界 面中位于所述第一区域与所述第四区域之间的界面，所述第二界面是所述第二半导 体区域与所述第三半导体区域的所述界面中位于所述第二区域与所述第三区域之 间的界面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于还包括：第六区域，设置在所述第 三半导体区域中、且在所述第四区域与所述第二栅极电极之间；并且

第三界面与所述第一半导体区域之间的距离大于所述第一界面与所述第一半 导体区域之间的距离，所述第三界面是所述第二半导体区域与所述第三半导体区域 的界面中位于所述第五区域与所述第六区域之间的界面。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述第四区域的第二导电型的载 流子密度高于所述第三区域的第二导电型的载流子密度、以及所述第六区域的第二 导电型的载流子密度。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述第二区域的一部分在从所述 第一半导体区域朝向所述第二半导体区域的第一方向上的位置，与所述第四区域的 一部分在所述第一方向上的位置相同。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：第二导电型的第五半导体 区域，选择性地设置在所述第三半导体区域上。