[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510096437.4 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105047627B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 亚历克斯·卡尔尼茨基;段孝勤;黄士芬;郑新立;徐英杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括具有顶面和底面的晶圆衬底；以及通过穿过晶圆衬底的顶面和底面的深沟槽绝缘体限定在晶圆衬底中的导电柱。制造半导体结构的方法包括以下步骤。从晶圆衬底的顶面形成深沟槽以在晶圆衬底中限定导电区。用掺杂剂掺杂导电区。用绝缘材料填充深沟槽以形成深沟槽绝缘体。以及从晶圆衬底的底面减薄晶圆衬底以暴露深沟槽绝缘体并且隔离导电区，从而形成导电柱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，包括：从晶圆衬底的顶面形成深沟槽以在所述晶圆衬底中限定导电区；用掺杂剂掺杂所述导电区；用绝缘材料填充所述深沟槽以形成深沟槽绝缘体；以及从所述晶圆衬底的底面减薄所述晶圆衬底以暴露所述深沟槽绝缘体并且隔离所述导电区，从而形成导电柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510096437.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
