[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510093212.3 申请日: 2015-03-02
公开(公告)号: CN105280704B 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 光心君;王薏涵;余宗兴;许义明 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种半导体器件,包括:栅极结构,位于衬底上;以及凸起的源极/漏极区,邻近栅极结构。界面位于栅极结构和衬底之间。凸起的源极/漏极区包括:应力源层,向栅极结构下面的沟道提供应变;以及硅化物层,位于应力源层中。硅化物层从凸起的源极/漏极区的顶面延伸并且终止于界面下方的预定深度处。预定深度允许应力源层保持沟道的应变。本发明还涉及制造半导体器件的方法。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:栅极结构,位于衬底上,并且界面位于所述栅极结构和所述衬底之间;凸起的源极/漏极区,邻近所述栅极结构,其中,所述凸起的源极/漏极区包括:应力源层,向所述栅极结构下面的沟道区提供应变,其中,横向延伸进入所述沟道区内的所述应力源层的拐角形成外延尖端,所述应力源层包括:第一硅锗层,位于所述应力源层的底部处;第二硅锗层,位于所述第一硅锗层上,其中,所述第二硅锗层的锗浓度大于所述第一硅锗层的锗浓度;第三硅锗层,位于所述第二硅锗层上,其中,所述第三硅锗层的锗浓度大于所述第二硅锗层的锗浓度,其中,所述第一硅锗层、所述第二硅锗层和所述第三硅锗层各自包括梯度分布的锗浓度;以及硅化物层,位于所述应力源层中,所述应力源层包围所述硅化物层,其中,所述硅化物层从所述凸起的源极/漏极区的顶面延伸至所述第二硅锗层中并且终止于所述界面下方的预定深度处,并且所述预定深度允许所述应力源层保持所述沟道区的所述应变。
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