[发明专利]闪存写操作最优时间配制方法及闪存写操作速度优化方法在审
| 申请号： | 201510091617.3 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104658603A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一闪存写操作最优时间配制方法，包括步骤一：初始化一时间参数，在所述时间参数内对一存储阵列进行写操作；步骤二：对所述存储阵列进行读操作，通过所述读操作，判断所述时间参数内所述写操作是否正确；如果所述写操作正确，则进行步骤三；如果所述写操作不正确，则将所述时间参数增加一时间量，得到当前的时间参数，重新进行步骤一和步骤二，直至所述写操作正确为止；步骤三：为当前的所述时间参数配置寄存器，并将当前的所述时间参数作为最优时间写入一特定存储区域。本发明还揭示了一种闪存写操作速度优化方法。所述闪存写操作最优时间配制方法及闪存写操作速度优化方法，可以提高闪存写操作的速度及性能。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 操作 最优 时间 配制 方法 速度 优化 | ||
【主权项】：
一种闪存写操作最优时间配制方法，其特征在于，包括：步骤一：初始化一时间参数，在所述时间参数内对一存储阵列进行写操作；步骤二：对所述存储阵列进行读操作，通过所述读操作，判断所述时间参数内所述写操作是否正确；如果所述写操作正确，则进行步骤三；如果所述写操作不正确，则将所述时间参数增加一时间量，得到当前的时间参数，并将当前的所述时间参数替代前一次的所述时间参数，使用当前的所述时间参数重新进行步骤一和步骤二，直至所述写操作正确为止；步骤三：为当前的所述时间参数配置寄存器，并将当前的所述时间参数作为最优时间写入一特定存储区域。
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