[发明专利]闪存写操作最优时间配制方法及闪存写操作速度优化方法

说明书

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，特别是涉及一种闪存写操作最优时间配制方法及闪存写操作速度优化方法。

背景技术

闪存以其便捷、存储密度高、可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机、笔记本、掌上电脑和u盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。

然而，在闪存的某些应用(如打印机墨盒芯片)中，闪存的容量很小，却对闪存写(write)速度要求极高(接近于铁电)。而当前闪存的速度则由于需要考虑高低温及各种容量的等因素，这些因素不利于闪存高速写的应用。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种闪存写操作最优时间配制方法及闪存写操作速度优化方法，可以提高闪存写操作的速度及性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存写操作最优时间配制方法，包括：

步骤一：初始化一时间参数，在所述时间参数内对一存储阵列进行写操作；

步骤二：对所述存储阵列进行读操作，通过所述读操作，判断所述时间参数内所述写操作是否正确；如果所述写操作正确，则进行步骤三；如果所述写操作不正确，则将所述时间参数增加一时间量，得到当前的时间参数，并将当前的所述时间参数替代前一次的所述时间参数，使用当前的所述时间参数重新进行步骤一和步骤二，直至所述写操作正确为止；

步骤三：为当前的所述时间参数配置寄存器，并将当前的所述时间参数作为最优时间写入一特定存储区域。

进一步的，在所述闪存写操作最优时间配制方法中，所述存储阵列为所述闪存的整个存储区域。

进一步的，在所述闪存写操作最优时间配制方法中，所述存储阵列为所述闪存的部分存储区域。

根据本发明的另一面，还提供一种闪存写操作速度优化方法，包括：

通过一触发条件触发一写培训模式；

所述写培训模式根据如上所述的闪存写操作最优时间配制方法得到所述最优时间；

退出所述写培训模式，进入正常模式。

进一步的，在所述闪存写操作速度优化方法中，所述触发条件包括温度变化速度超过一特定速度。

进一步的，在所述闪存写操作速度优化方法中，所述写培训模式下读操作的参考电流小于所述正常模式下读操作的参考电流。

进一步的，在所述闪存写操作速度优化方法中，所述存储阵列为所述闪存的整个存储区域。

进一步的，在所述闪存写操作速度优化方法中，所述存储阵列为所述闪存的部分存储区域。

进一步的，在所述闪存写操作速度优化方法中，在所述正常模式中，如需要进行快速写操作，则使用所述最优时间进行快速写操作。

进一步的，在所述闪存写操作速度优化方法中，在所述闪存的空闲时间通过所述触发条件触发一写培训模式。

与现有技术相比，本发明提供的闪存写操作最优时间配制方法及闪存写操作速度优化方法具有以下优点：

在本发明提供的闪存写操作最优时间配制方法及闪存写操作速度优化方法中，进行步骤一：初始化一时间参数，在所述时间参数内对一存储阵列进行写操作；进行步骤二：对所述存储阵列进行读操作，通过所述读操作，判断所述时间参数内所述写操作是否正确；如果所述写操作正确，则进行步骤三；如果所述写操作不正确，则将所述时间参数增加一时间量，得到当前的时间参数，并将当前的所述时间参数替代前一次的所述时间参数，使用当前的所述时间参数重新进行步骤一和步骤二，直至所述写操作正确为止；通过循环进行步骤一和步骤二，逐步增加写(write)的时间对所述存储阵列进行写扫描，然后通过读操作进行判断，最后得到最优时间，并把相关配置写到闪存中的特定存储区域，并配置到相应的寄存器中。当需要进行快速写操作时，可以直接调用所述最优时间，从而提高闪存写操作的速度及性能。

附图说明

图1为本发明一实施例中闪存写操作最优时间配制方法的流程图；

图2为本发明一实施例中闪存写操作速度优化方法的流程图。

具体实施方式