[发明专利]半导体集成电路装置以及使用该装置的电子设备有效
| 申请号: | 201510087884.3 | 申请日: | 2015-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN104867922B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
| 发明(设计)人: | 角张秀幸 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;苏萌萌 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种半导体集成电路装置以及使用该装置的电子设备。所述半导体集成电路装置具备:输出缓冲电路,其包括被连接于第一电源端子与信号端子之间的P沟道晶体管;电位控制电路,其根据信号端子的电位而从第一电源端子或信号端子向P沟道晶体管的背栅极供给电位;第一保护二极管,其具有与信号端子连接的阳极;共用放电线,其与第一保护二极管的阴极连接;静电放电保护电路,其被连接于共用放电线与第二电源端子之间;第二保护二极管,其具有与第二电源端子连接的阳极以及与信号端子连接的阴极。 | ||
| 搜索关键词: | 电源端子 半导体集成电路装置 二极管 信号端子 信号端子连接 电位 阴极 阳极 电子设备 放电线 静电放电保护电路 电位控制电路 输出缓冲电路 背栅极 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,其特征在于,具备:第一电源端子,其被供给第一电源电位;第二电源端子,其被供给与所述第一电源电位相比为低电位的第二电源电位;信号端子,其至少被用于输出信号;输出缓冲电路,其包括被连接于所述第一电源端子与所述信号端子之间的P沟道晶体管,以及被连接于所述信号端子与所述第二电源端子之间的N沟道晶体管;电位控制电路,其根据所述信号端子的电位而从所述第一电源端子或所述信号端子向所述P沟道晶体管的背栅极供给电位;第一保护二极管,其具有与所述信号端子连接的阳极;共用放电线,其与所述第一保护二极管的阴极连接;静电放电保护电路,其被连接于所述共用放电线与所述第二电源端子之间;第二保护二极管,其具有与所述第二电源端子连接的阳极以及与所述信号端子连接的阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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