[发明专利]半导体集成电路装置以及使用该装置的电子设备

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，具备：

第一电源端子，其被供给第一电源电位；

第二电源端子，其被供给与所述第一电源电位相比为低电位的第二电源电位；

信号端子，其至少被用于输出信号；

输出缓冲电路，其包括被连接于所述第一电源端子与所述信号端子之间的P沟道晶体管，以及被连接于所述信号端子与所述第二电源端子之间的N沟道晶体管；

电位控制电路，其根据所述信号端子的电位而从所述第一电源端子或所述信号端子向所述P沟道晶体管的背栅极供给电位；

第一保护二极管，其具有与所述信号端子连接的阳极；

共用放电线，其与所述第一保护二极管的阴极连接；

静电放电保护电路，其被连接于所述共用放电线与所述第二电源端子之间；

第二保护二极管，其具有与所述第二电源端子连接的阳极以及与所述信号端子连接的阴极。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

还具备二极管，所述二极管具有与所述第一电源端子连接的阳极以及与所述共用放电线连接的阴极，并根据第一电源电位而向所述共用放电线施加电位。

3.如权利要求1或2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

与第二电源电位相比较高的电位被施加于所述共用放电线时的所述静电放电保护电路的触发电压，小于所述第二保护二极管的反向耐压。

4.如权利要求1或2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

所述静电放电保护电路包括：晶闸管，其具有与所述共用放电线连接的阳极以及与所述第二电源端子连接的阴极；二极管，其具有与所述第二电源端子连接的阳极以及与所述共用放电线连接的阴极。

5.一种电子设备，其特征在于，

具备权利要求1至4中任一项所述的半导体集成电路装置。