[发明专利]真空层压装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510086886.0 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104851826B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 秋叶秀树;中村朋阳;塩原利夫 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空层压装置，在制造半导体装置时使用，其具备框架结构，其围绕附带支撑基材的密封材料的至少侧面，附带支撑基材的密封材料是在支撑基材上积层热固化性树脂层作为密封材料而成，框架结构具有保持手段，其保持搭载有半导体元件的基板或形成有半导体元件的晶片，并使基板或晶片隔着空间地与附带支撑基材的密封材料的热固化性树脂层相对向，前述装置将被框架结构围绕的附带支撑基材的密封材料与基板或晶片一起进行真空层压。由此，尤其是即使在使用大面积的基板(或晶片)的情况下，也会抑制树脂层内的孔隙的产生和基板(或晶片)的翘曲，并且能够以低成本来制造一种精度良好地成型有树脂层的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 层压 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种真空层压装置，在制造半导体装置时使用，其特征在于，其具备框架结构，该框架结构围绕附带支撑基材的密封材料的至少侧面，所述附带支撑基材的密封材料是在支撑基材上积层热固化性树脂层作为密封材料而成，前述框架结构具有保持手段，所述保持手段保持搭载有半导体组件的基板或形成有半导体组件的晶片，并使搭载有半导体组件的基板或形成有半导体组件的晶片隔着空间地与前述附带支撑基材的密封材料的热固化性树脂层相对向，前述装置将被前述框架结构围绕的前述附带支撑基材的密封材料与前述基板或晶片一起进行真空层压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
