[发明专利]真空层压装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种真空层压装置，在制造半导体装置时使用，其特征在于，

其具备框架结构，该框架结构围绕附带支撑基材的密封材料的至少侧面，所述附带支撑基材的密封材料是在支撑基材上积层热固化性树脂层作为密封材料而成，

前述框架结构具有保持手段，所述保持手段保持搭载有半导体组件的基板或形成有半导体组件的晶片，并使搭载有半导体组件的基板或形成有半导体组件的晶片隔着空间地与前述附带支撑基材的密封材料的热固化性树脂层相对向，并且，前述框架结构具有载置前述附带支撑基材的密封材料的底部、与可一边相对于该底部滑动一边沿上下方向移动的侧面部，前述底部和侧面部由耐热性树脂构成，

前述装置将被前述框架结构围绕的前述附带支撑基材的密封材料与前述基板或晶片一起进行真空层压。

2.如权利要求1所述的真空层压装置，其中，前述框架结构具有树脂排出手段，所述树脂排出手段将剩余的前述热固化性树脂层排出到外部。

3.如权利要求1所述的真空层压装置，其中，前述框架结构的保持手段，以前述半导体组件搭载面或前述半导体组件形成面朝向下方的状态，从上方来保持前述基板或晶片，并具有与前述基板或晶片的周缘部卡合的紧固件。

4.如权利要求2所述的真空层压装置，其中，前述框架结构的保持手段，以前述半导体组件搭载面或前述半导体组件形成面朝向下方的状态，从上方来保持前述基板或晶片，并具有与前述基板或晶片的周缘部卡合的紧固件。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其具有以下工序：

准备工序，准备附带支撑基材的密封材料，所述附带支撑基材的密封材料是在支撑基材上积层热固化性树脂层作为密封材料而成；

覆盖工序，利用前述附带支撑基材的密封材料的热固化性树脂层，覆盖搭载有半导体组件的基板的半导体组件搭载面、或形成有半导体组件的晶片的半导体组件形成面；

密封工序，通过加热、固化前述热固化性树脂层，将前述基板的半导体组件搭载面或前述晶片的半导体组件形成面一并密封；及，

切断工序，通过切割，切断前述密封后的基板或晶片，

并且，通过以下方式来进行前述覆盖工序，即利用框架结构围绕前述附带支撑基材的密封材料的至少侧面，保持前述搭载有半导体组件的基板或前述形成有半导体组件的晶片，并使前述搭载有半导体组件的基板或前述形成有半导体组件的晶片隔着空间地与前述附带支撑基材的密封材料的热固化性树脂层相对向，将被前述框架结构围绕的前述附带支撑基材的密封材料与前述基板或晶片一起进行真空层压，

前述框架结构具有载置前述附带支撑基材的密封材料的底部、与可一边相对于该底部滑动一边沿上下方向移动的侧面部，前述底部和侧面部由耐热性树脂构成。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述准备工序中，预先将多于前述要制造的半导体装置所需量的前述热固化性树脂层作为密封材料积层在前述支撑基材上，一边将剩余的前述热固化性树脂层排出到外部，一边进行前述覆盖工序。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述覆盖工序中，以前述半导体组件搭载面或前述半导体组件形成面朝向下方的状态，使紧固件卡合于前述基板或晶片的周缘部，而从上方来保持前述基板或晶片。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述覆盖工序中，以前述半导体组件搭载面或前述半导体组件形成面朝向下方的状态，使紧固件卡合于前述基板或晶片的周缘部，而从上方来保持前述基板或晶片。

9.如权利要求5～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，通过减压度为10Pa～1kPa的真空层压，进行前述覆盖工序。

10.如权利要求5～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，作为前述搭载有半导体组件的基板、及形成有半导体组件的晶片，使用具有200mm×200mm以上或200mmφ以上的面积的基板和晶片。