[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法

摘要

本发明提供一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其抑制了极性反转缺陷密度的增加。该制造方法包括n型半导体层形成步骤、发光层形成步骤和p型半导体层形成步骤。p型半导体层形成步骤包括p型覆层形成步骤。p型覆层形成步骤包括第一p型半导体形成层步骤以用于形成p型AlGaN层，在第一p型半导体形成层步骤之后的第一半导体层生长中止步骤，以及在第一半导体层生长中止步骤之后的p型InGaN层形成步骤。在所述第一半导体层生长中止步骤中，将氮气和氢气的混合物供给至衬底。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成n型半导体层的n型半导体层形成步骤；在所述n型半导体层上形成发光层的发光层形成步骤；以及在所述发光层上形成p型半导体层的p型半导体层形成步骤，所述p型半导体层形成步骤包括形成p型覆层的p型覆层形成步骤，所述p型覆层形成步骤包括：形成p型AlGaN层的p型AlGaN层形成步骤；在形成所述p型AlGaN层之后中断半导体层的生长的第一中断步骤；在所述第一中断步骤之后形成p型InGaN层的p型InGaN层形成步骤；以及在形成所述p型InGaN层之后，中断半导体层的生长的第二中断步骤；在所述第一中断步骤中，将氮气和氢气的混合物供给至所述衬底，以及通过氢气腐蚀所述p型AlGaN层的表面的极性反转缺陷，在所述p型AlGaN层形成步骤，所述p型InGaN层形成步骤和所述第二中断步骤中，将氮气供应至所述衬底，而不将氢气供应至所述衬底。