[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201510083779.2 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN104851949B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 青木真登 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,顾晋伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 iii 氮化物 半导体 发光 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成n型半导体层的n型半导体层形成步骤；
在所述n型半导体层上形成发光层的发光层形成步骤；以及
在所述发光层上形成p型半导体层的p型半导体层形成步骤，
所述p型半导体层形成步骤包括形成p型覆层的p型覆层形成步骤，
所述p型覆层形成步骤包括：
形成p型AlGaN层的p型AlGaN层形成步骤；
在形成所述p型AlGaN层之后中断半导体层的生长的第一中断步骤；
在所述第一中断步骤之后形成p型InGaN层的p型InGaN层形成步骤；以及
在形成所述p型InGaN层之后，中断半导体层的生长的第二中断步骤；
在所述第一中断步骤中，将氮气和氢气的混合物供给至所述衬底，以及通过氢气腐蚀所述p型AlGaN层的表面的极性反转缺陷，
在所述p型AlGaN层形成步骤，所述p型InGaN层形成步骤和所述第二中断步骤中，将氮气供应至所述衬底，而不将氢气供应至所述衬底。
2.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在所述第一中断步骤中，将氢气的体积相对于所述气体混合物的氮气与氢气的总体积之比调节至20％至100％。
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