[发明专利]新型的半导体封装结构

摘要

本发明公开一种新型的半导体封装结构，包括图像传感芯片、印刷电路支撑板、透明盖板和PCB基板；位于印刷电路支撑板内侧面中部具有凸起部，透明盖板的周边区域与凸起部接触，图像传感芯片上表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔，图像传感芯片的盲孔底部具有铝焊垫，位于盲孔内且在铝焊垫上表面依次具有镍层、保护金属层；金属导电层通过导电胶与印刷电路支撑板的凸起部下表面电路电连接，所述图像传感芯片位于凸起部和PCB基板之间，PCB基板与印刷电路支撑板底部通过导电胶贴合电连接，金属导电层从下往上由铜导电分层和锡导电分层叠加组成。本发明支撑力比之前的工艺更好，金属焊点不会出现断裂现象，产品的抗热冲击以及水汽冲击表现效果更佳，大大降低线路传输距离，信号传输更稳定。

主权项

1.一种新型的半导体封装结构，其特征在于：包括图像传感芯片（1）、印刷电路支撑板（2）、透明盖板（3）和PCB基板（4），所述印刷电路支撑板（2）中心处具有镂空区（5），所述透明盖板（3）覆盖于镂空区（5），所述图像传感芯片（1）的上表面具有感光区（6）；位于所述印刷电路支撑板（2）内侧面中部具有凸起部（7），所述透明盖板（3）的周边区域与凸起部（7）接触，从而在透明盖板（3）和图像传感芯片（1）之间形成空腔（8）；图像传感芯片（1）上表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔（9），所述图像传感芯片（1）的盲孔（9）底部具有铝焊垫（10），位于盲孔（6）内且在铝焊垫（10）上表面依次具有镍层（11）、保护金属层（12），位于所述图像传感芯片（1）上表面且在盲孔（9）周边具有压力缓冲层（13），所述盲孔（9）底部、侧表面和压力缓冲层上表面具有一钛铜层（14），所述盲孔（9）内填充有金属导电层（15），所述金属导电层（15）高度高于盲孔（9）深度并延伸至位于压力缓冲层（13）正上方的钛铜层（14）表面，从而使得金属导电层（15）上部覆盖位于压力缓冲层（13）正上方的钛铜层（14）部分区域，所述压力缓冲层（13）为显影后的光刻胶层；所述金属导电层（15）通过导电胶（16）与印刷电路支撑板（2）的凸起部（7）下表面电路电连接，所述图像传感芯片（1）位于凸起部和PCB基板（4）之间，所述PCB基板（4）与印刷电路支撑板（2）底部通过导电胶（16）贴合电连接，所述金属导电层（15）从下往上由铜导电分层（151）和锡导电分层（152）叠加组成，所述铜导电分层（151）与锡导电分层（152）的厚度比为1：0.8~1.2。