[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510081575.5 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN105990324A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 杨政达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，其中的制造方法包括提供具有数个堆叠结构的基底，并在堆叠结构之间涂布流体材料，然后去除部分流体材料，以形成露出部分堆叠结构的牺牲层。在露出的堆叠结构的侧壁形成多个介电间隙壁，并完全去除上述牺牲层，再在基底上形成覆盖堆叠结构的介电层，并在介电间隙壁以下的两个堆叠结构之间具有空气间隙。本发明能通过降低沟槽的高宽比而完成隙填充，并同时形成能避免栅极间耦合效应发生的空气间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包括：基底，该基底上具有多个堆叠结构；介电层，位于该些堆叠结构之间，其中两个该些堆叠结构之间具有空气间隙；以及多个介电间隙壁，位于该空气间隙以上的该些堆叠结构的侧壁与该介电层之间。
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