[发明专利]铁电存储单元的制备方法

摘要

本发明提供了一种铁电存储单元，包括：下电极；形成于所述下电极上的铁电介质层；以及形成于所述铁电介质层上的上电极；其中，所述铁电介质层为LaMn₃Cr₄O₁₂薄膜。本发明还提供了一种在硅衬底制备所述铁电存储单元的方法，包括：在硅衬底上通过热氧化生成一层二氧化硅；在二氧化硅层上通过溅射或者电子束蒸发形成下电极；以LaMn₃Cr₄O₁₂为靶材，在下电极上通过脉冲激光沉积或者溅射形成铁电介质层；在铁电介质层上通过溅射或者电子束蒸发形成上电极。所述铁电存储单元具有速度快、功耗低、耐腐蚀、耐高温、寿命长、与反铁磁有序耦合且磁场可调控等优点。

主权项

1.一种铁电存储单元的制备方法，包括：在硅衬底上通过热氧化生成一层二氧化硅；在二氧化硅层上通过溅射或者电子束蒸发形成下电极；以LaMn3Cr4O12为靶材，在下电极上通过脉冲激光沉积或者溅射形成铁电介质层；在铁电介质层上通过溅射或者电子束蒸发形成上电极；所述LaMn3Cr4O12靶材的制备方法包括：将La2O3(99.99％)、Mn2O3(99.99％)和Cr2O3(99.99％)按化学计量比1:3:4混合均匀得到原料混合物；将所述原料混合物研磨30‑90分钟；将研磨后的原料混合物装入金或铂金胶囊中密封；在六面顶压机中进行高温高压合成，合成压力为6‑10GPa，合成温度为900‑1100℃，保温10‑60分钟后淬火至室温。